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34 導　言 在 實 際 運 用 圖 2　電漿之壓力對溫度二元相圖 上，使用者尚須克 蝕刻與黃光，薄膜鼎足而三為 服以上問題，才能 LCD array製程不可或缺之要角，繼 真正享用高科技所 濕蝕刻製程與設備簡介後，本篇主 帶給整個製程技術 要介紹LCD 乾式蝕刻製程與設備， 的便利性，搭配未 上次提到乾蝕刻挾國內半導體製造 來的高階液晶面板 技術發達的優勢，對於微結構控制 製程(LTPS ，4PEP 良好，其線寬(line width)，深寬比 等)，相信乾式蝕刻 (aspect ratio)，表面粗糙度(surface 製程在未來LCD 製 roughness)， taper角度控制均有極佳 程仍將對改善良率 資料來源：自強基金會 的水準，對電性上也可以得到較佳 及增加產能佔有舉 的表現， 但所需面臨的較大問題計 足輕重的地位，以下將對LCD 乾蝕 化學及製程控制作詳細介紹。 有: 刻製程原理及機台做淺顯介紹。 1.抵抗環境中particle及反應產生的 1.電漿基本介紹 固態副產物的能力較差，有可能 乾蝕刻製程原理及機台簡介 氣體分子在高溫，強電場或磁 在製程中形成defect，而影響後續 目前半導體或LCD 前段製程， 場的環境下可產生電漿，其電子密 電性甚至光學性質， 成膜與蝕刻均需仰賴電漿輔助，藉 度與電子溫度分佈如圖 1所示，當電 2.在傳輸上需透過真空及大氣的轉 由電漿解離物種的多元性，達成以 漿中電子與大部分中性物種進行彈 換， throughput也因而較慢，雖然 不同反應路徑完成蝕刻目的，並因 性碰撞時，電子能量轉為氣體分子 在CF 製程中已有inline真空機台但 此可降低反應活化能，使得原本需 內能，氣體溫度升高， 因array製程對成膜與蝕刻均勻性 高溫之反應，甚至在常態即可完 此時電子，離子與中性物種處 要求較高，故仍未運用於array製 成，本篇報導主要分為四個部分， 於局部熱平衡狀態，稱此電漿為熱 程。 基於電漿對乾蝕刻製程之重要性， 電漿(thermal plasma)，如圖2所示， 3.維護不易，真空元件的維修以及 首先對電漿作基礎介紹，後續再針 當電漿中電子與離子處於低壓狀 真空度的維持困難度高，也常造 對乾蝕刻原理，蝕刻機台，乾蝕刻 態，平