Si SOI 微剂量探测器电荷收集特性数值模拟.PDF

第 10 卷 第 5 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1．10，No．5 2012 年 10 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Oct．，2012 文章编号： 1672-2892(2012)05-0616-05 Si SOI 微剂量探测器电荷收集特性数值模拟 唐 杜，刘书焕，李永宏，贺朝会 (西安交通大学 核科学技术学院，陕西 西安 710049) 摘 要 ：采用数值模拟软件 TCAD 对影响绝缘体上硅(SOI) PIN 微剂量探测器灵敏区电荷收集 特性的主要因素进行了模拟与分析。分析了 3 MeV α 粒子在 PIN 探测器内沉积能量产生的瞬时电 流随探测器偏置电压(10 V 至 50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化。模拟结果表明，随着反偏电 压的增大，载流子复合效应降低，瞬态电流增加；当 n+ 区域反偏电压为 10 V 时，由 α粒子入射产 生的空间电荷在 1 ns 内几乎全部被收集，电荷收集效率接近 100% ；辐射产生的瞬时电流随探测器 各端掺杂浓度的增大而减小。 关键词 ：微剂量探测器；瞬时电流；空间电荷；TCAD 模拟 中图分类号 ：TN34 ；TL814 文献标识码 ：A Numerical simulation of charge collection characteristics of Si SOI microdosimeter TANG Du，LIU Shu-huan，LI Yong-hong，HE Chao-hui (School of Nuclear Science Technology，Xi ’an Jiao Tong University，Xi ’an Shaanxi 710049，China) Abstract： 2D simulation of the main influence factors on the charge collection characteristics of Silicon On Insulator(SOI) PIN microdosimeter was performed with TCAD software. The transient current in the microdosimeter induced by 3 MeV alpha particle was calculated at different applied voltages(from 10 V to 50 V), doping concentrations and alpha incident directions. The simulation results show that the transient current increases with the increase of reverse bias voltage due to the decrease of the carrier recombination effect; and the space charges induced by alpha particle are almost collected in 1 ns with 10 V applied to the n+ region at the charge collection efficiency nearly 100%; and the transient current decre