离子注入杂质在氧化物晶体中的行为分析.pdfVIP

离子注入杂质在氧化物晶体中的行为研究 凝聚态专业 研究生王春芬 指导教师黄宁康 七十年代以后，随着空间技术的发展，人们开始对a—A1如。晶体辐照缺陷中 的色心进行广泛的研究。在大量研究的各种色心中，了解最彻底的为a—AIzoa 单质离子，采用化合物离子尚未见报道。本论文工作就采用化合物离子CuCi+ 观察。主要工作和结果包括： 量，结果发现不同晶向的a—A]。毡晶体在不同注入条件下在高能端均有强烈的 晶体产生的色心缺陷主要是阴离子色心，如F心、n心、F：心、F：+心以及F。”心。 2．对注入后的试样在还原气氛下退火，对退火后的样品进行了光吸收谱及荧 光谱的测量。结果发现与退火前相比，其吸收强度有不同程度的下降。证明了 相应的色心数目因退火而减少了。我们还发现色心的减少很大程度取决于注入 条件、晶向和退火温度。 表面所拍的照片中我们可以明显地观察到亚微米颗粒的存在，颗粒的大小也与 注入条件，品向和退火温度有关系。可以预计，合适的退火温度能在试样表丽 形成纳米颗粒。 4．通过对氧化物晶体退火色心消除情况的比较，发现离子注入在共价型氧化 物晶体中产生的色心缺陷不易通过退火消除，而离子型的正相反。 关键词：离子注入 氧化物晶体 口一AI。0色心 SEM inthebehaviorof ionsinoxide Study implanted crystals State Ma30r：CondensePhysics Daster ChunFen student：WangSuperadviser：HuangNingKang Sinceseventiesofthe to 20“century，peoplebegan study damagesin口一AL03 duetothedemandsof in crystal developmentspace CO]_OFcentreinthe ofoxide iOn technology．many damage crystalSby hasbeen andF+centrearemost implantationstudied，Amongthem，F incolorcentersof口一Al ion understood．Study 20lcrystalbyusing differentelementalmetallic imp]antation，usually，with in hasnot been with j them OnS．Inour study get reportedcompound work， ion was kindof wit