可控硅触发单元电路研究 - 甘肃科技.PDF

第２８卷　第１０期 甘肃科技 Ｖｏｌ２８　Ｎｏ１０ ２０１２年５月 ＧａｎｓｕＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍａｙ　２０１２ 可控硅触发单元电路研究 刘志虎，张　锐，纪永斌 （兰州铀浓缩有限公司，甘肃 兰州７３００６５） 摘　要：从一种俄制可控硅触发电路的原理图入手，分析了其电气原理，并结合多年运行检修实践，介绍了几类典型 故障的判断及维修方法，目的是为变频器以后的运行、维护、检修提供便利。 关键词：可控硅触发单元；自激推挽；电路 中图分类号：ＴＰ２７４２ 　　兰州铀浓缩有限公司主工艺供电系统使用的核 ＨＬ１、ＨＬ２显示出该状态。当向电流电压转换单元 心供电设备 СПЧС－２００型变频器属国外引进设 输入线路上送控制信号时，负偏差电压被断开，经过 备，因缺乏相应的技术说明资料，给设备的正常运行 限流电阻，从 １～ ６输出端上向可控硅控制电 УТ УТ 维护造成了一定的困难。 极上送正极电压，从而触发导通可控硅。 БУТ６控制单元是 СПЧС－２００型变频器的重 ２３　逆变电路 要组成部分，一台２００型变频器共有 １１个БУТ６控 逆变电路是比较典型的自激推挽式开关电路。 制单元，分别用于整流器、动态电容补偿器、输出静 利用磁芯的饱和实现开关晶体管的交替工作。三级 态开关及自动消磁电路中。其主要作用是实现可控 推挽振荡电路，可以有效地降低对于开关晶体管耐 硅的通断控制。由于其分布广、使用量大、且在关键 压的要求。 控制位置，在变频器中十分重要。 当在输入端加上２２０Ｖ电压的瞬间，电压经启 动电阻Ｒ１，通过电阻Ｒ４加到晶体管ＶＴ１、ＶＴ４的基 １　可控硅控制单元БУТ６的作用 极，由于晶体管本身存在的特性差异有一只晶体管 　　１）将小电流的控制信号转换成可控硅导通所 率先导通，假设晶体管ＶＴ１率先导通，回路变压器 必需的控制门极电流，并为可控硅各个控制通道之 ＴＶ１的Ｈ１－Ｋ１绕组、晶体管ＶＴ１的集射极有电流 间提供彼此隔离的控制电压。 流过，同时Ｈ１－Ｋ１绕组电流增加，感应电流致使晶 ２）可控硅在没有控制命令时，在可控硅控制门 体管ＶＴ１进一步导通，晶体管ＶＴ４截至，当变压器 极上形成０２Ｖ负偏差电压，以防止可控硅误导通。 ＴＶ１磁芯接近饱和时，感应电流反向，晶体管 ＶＴ１ 截至，晶体管ＶＴ４导通，同样 Ｋ２－Ｈ２绕组电流增 ２　可控硅触发单元的工作原理分析 加致使晶体管ＶＴ４进一步导通，晶体管ＶＴ４截至， ２１　电气原理（如图１所示） 电路如此实现振荡工作。 ２２　电流电压转换原理 驱动用变压器ＴＡ１只传输开关晶体管基极驱 为便于电气原理图的分析，将图１电气原理图 动电流，这样做可以减少变压器ＴＶ１的磁芯损耗。 转化成图２所示功能图。 由于存在良好的反馈耦合，在没有负载电流时， 可控硅功率触发单元的功能电路，可分为三个 感应电压经变压器ＴＶ１的绕组 Ｈ７－Ｋ７，通过电阻 部分，逆变电路、整流电路、输出控制电路。