外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定.pdfVIP

维普资讯 吞 酶≮ Vol16．No．1 199,5年 1月 CHINESE Jan．，1995 ： 了_ 一～ 外延层组分界面状况的X射 线双晶衍射测定 ／、 朱南昌 李 身 陈京一 许峨生 卜、c ，． — — — — ～ r — — — — — 一 (中国科学院上海冶金研究所 上海 200050) 摘要 本文介绍了一种用 x射线双品衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延 层点阵常数及组分的方法 ，只需硼量三个衍射 并考虑了晶体表面偏离对待轴 的影响．同 时．引入 了表征界面状态的界面共格因子 ．讨论 了它的意义 实验结果表明：在测定大失 半 _。 配体系外延材料的组分时 ．同时测定外延层与村底之 间 “筮外延层与外延层之问的界面关 导m 系是必要的． PACC ： 6llOF 6855，8170C 1 引言 报 刚 ≮三＼‘／叫 x射线双晶衍射被广泛应用于外延层异质结GaAIAs／GaAs、InGaAsP／lnP等体系的 错配i煲量『和成份测定[ ，通常这些材料的失配度较小 可共格地生长在衬底上 ，界面不 产生位错，可通过i煲量『平行于表面晶面的对称衍射摇摆曲线求得垂直方向的失配 (△d／ ) 加上较正 因子而直接得到外延层弛豫状态下的点阵常数和成份 ．但这种测定方 法的条件是必须使外延层与村底共格地生长，界面没有位借等缺陷 及衬底表面偏离对 称轴很小．我们知道 对大失配体系如 InGaAs／GaAs等失配度可达 7．2 t也可以通过 组分调节使失配度降得很低，当外延层厚度超过了特定失配度下的临界生长厚度时，产 生失配位错是必定的 “]但受生长条件的影响产生失配位借的程度是不确定的t因此仅 通过测定垂直应变量是不够的，也无法知道界面是否产生了位错等缺 陷，以及有多少的 应力被释放 事实上我们可 以通过多种方法i煲定『外延层的成份和界面是否产生了位错， 就双晶而言，对衬底是 (001)方 向的样品，认为外延层晶胞畸变后为四方晶胞 ，可通过i煲『 量二个入射方 向相反的对称衍射和二个不对称衍射来测定外延层垂直和水平方 向的点阵 常数 ．和 ∥，进而求得成份和界面状况 ，但只能适用于001)取向的样品．李润身等 给出了测定外延层的三个倒易矢量的方 向和大小的方法 ，可精确测定外延层的晶胞参 中国科学院上海冶金研 究所青年基盘资助项 目 i993年 4月 27日收到韧精，I993年 7月20日收到修改稿 维普资讯 1期 来南 昌等 ：外延层组分界面状 兄的X射线双晶衍射}则定 数和外延层与衬底之间的取向关系，但需要测 九