第1章 集成电路工艺原理.ppt

集成电路工艺原理 复旦大学微电子研究院 2004.8 第一章 工艺概述 第一章工艺概述 第一章 工艺概述 IC由这样一个发明原形成长为今天现代经济的主要支柱产业,成为近半个世纪来发展最快、影响最深远的技术之一； 同年，仙童公司的R.Noyce 提出了利用平面工艺的微芯片(Microchip)集成电路技术，从而，为集成电路大批量生产开辟了道路。为此,J.Kilby 和 R.Noyce 被公认为IC的共同发明人。 1962年研制成功pmos(仙童)和nmos晶体管(RCA); 1963年发明了cmos晶体管(仙童); 二 1968 – 1977：半导体器件制造技术走向成熟的大规模IC发展时期 工艺技术进步导致产品更新换代，成为今天支柱产品的半导体存储器和微处理器芯片开始发展； 三 1978 – 1987：大规模集成电路技术急剧发展的时期 DRAM等半导体存储器的集成度和生产规模越来越大，成为当时市场、技术竞争的标志； 四 1988－2007，IC技术和应用都突飞猛进的辉煌发展时期 以微处理器、存储器和专用IC (ASIC) 为主要产品的半导体产业迅速增大; §1.2硅外延平面晶体管制造工艺 §1.3 硅集成电路制造工艺 （2）隐埋层 双极型集成电路的制造步骤 双极型集成电路的制造步骤 MOS晶体管制造步骤 NMOS硅栅IC制造工艺 第二章 半导体硅衬底 半导体材料可分为两类： 一类是锗、硅为代表的元素半导体；另一类是各种化合物半导体，其中包括金属氧化物、硫化物、卤化物，砷化镓、锑化铟等金属间化合物以及有机半导体等。 半导体硅材料的优点： Si性能欠缺的地方 §2.1 相平衡和相图 1 相：在由几种元素(称为组元)组成的材料体系中，具有相同物理性质和化学组成的那些部分统称为一个“相”，其数目用符号?表示。 在相与相之间有明显的界面，在界面上，它们的宏观性质发生突变；则， 由于任何气体都能混合均匀，故体系内不论有多少种气体均为一相； 均匀的液体也是一相，但若两种液体只能有限溶解，则可能形成两相或多相； 对于固体，一般是一种固体就是一相；但对组成相同而晶体结构不同的同素异形体，因不同构型间性质差异较大，故一种构型就是一相（如Cu-Zn合金）；但当几种固体相互完全溶解形成固溶体时，则是一相（如掺硼的单晶等）； 原子比为50％的半导体合金，在1115℃以下时为固相，在1270℃以上时为液相，两者之间时则为固相、液相共存； 相变和相平衡：在一个热力学体系内，当不同相之间的物质相互接触时，若发生物质从一相迁至另一相的过程，称为相变；当宏观上物质的迁移停止时，称为相平衡。 2 组元： ∴ 组元数 = 原始物质数 - 独立的化学反应数 - 浓度限制条件 对于多种物质、多相系统来说，凭经验确定自由度数较困难，需要公式的指引，这就是相律； 相律只适用于相平衡系统。 f=K-Ф+2中的2表示整体的温度、压力相同，对此条件不符的系统则需补充。 f=K-Ф+2中的2只考虑了温度、压力对系统的影响，但当需考虑其它因素的影响（如电场、磁场、重力场）时，还应考虑造成这些影响的其它外界因素的数目。 对没有气相存在的凝聚体系来说，压力对相平衡的影响很小。故f=K-Ф+1 相律可以告知相平衡系统中有几个独立变量，其它变量是它们的函数，但不能告知函数的具体形式。 三 单元系相图 纯金属的相图 三条曲线将相图划分为固态锌，液态锌和气态锌三个区域。在各区域内，体系是单相。 图中虚线 0A′是OA的延长线，代表过冷的液态锌饱和蒸气压与温度的关系；虚线 OB′是OB的延长线，代表过热的固态锌饱和蒸气压与温度的关系，它们都是介稳的平衡线。 四 几种典型的二元二相系相图 曲线a是纯金的步冷曲线，aA 段相当于金熔体的冷却过程，到了1063℃，开始析出固体金，这时将有熔化潜热放出，此热量抵消了体系热的散失，因而在曲线中出现了水平曲线段AA′,至金全部凝固后，温度才继续下降； 由Au-Si体系的步冷曲线图可见： 图中AE为固态Au与熔体平衡时，熔体的组成与温度关系曲线，称为液相线。它反映Au在Si中的溶解度情况； EH是固态Si与熔体平衡的液相线。 在E点Au、Si同时由熔体析出，熔体全转变为固态，故将它称为低共晶点或低共熔点 。 在E点的等温线BEM以下，只存在Au和Si固体，所以BEM线叫固相线。AB,HM也分别是纯金和纯硅的固相线。 图中AEH线以上为液相区； 图中ABE为Au与熔体两相共存区；HEM为Si与熔体两相共存区。 2 形成连续固溶体的相图 Ge－Si相图