基于单一类型载流子的电子倍增CCD 倍增模型.PDF

第32卷第5期 兵 工 学 报 Vol.32 No.5 2 0 1 1年5月 ACTA ARMAMENTARII May 2011 基于单一类型载流子的电子倍增 CCD倍增模型 张灿林,陈钱,尹丽菊 (南京理工大学 电子工程与光电技术学院,江苏 南京210094) 摇 摇 摘要:基于单一类型载流子,讨论了电子倍增CCD(EMCCD)的雪崩倍增原理,并在此基础上 使用经典分段电离率模型,结合雪崩倍增积分关系式建立了EMCCD 的倍增模型。 根据实际器件 倍增结构和栅压幅值确定使用Wolff 多次碰撞电离理论。 通过倍增模型的理论计算与实际器件的 倍增曲线比较发现边缘场强度足够大,倍增区足够宽才能引起适当的信号倍增。 该模型可以方便 地计算单一类型载流子信号通过全固态多级级联电子倍增寄存器后的总增益与倍增栅压的关系曲 线。 计算结果表明,倍增模型与现有EMCCD器件倍增数据吻合较好。 摇 摇 关键词:光电子学与激光技术; 电子倍增CCD; 电子倍增;片上增益;边缘场; 电荷倍增极 摇 摇 中图分类号:TN223 文献标志码:A 文章编号:1000鄄1093(2011)05鄄0580鄄04 Multiplication Model of Electron Multiplying CCD Based on Single Type of Carrier ZHANG Can鄄lin,CHEN Qian,YIN Li鄄ju (School of Electronic and Optical Engineering,Nanjing University of Science and Technology, Nanjing210094,Jiangsu,China) Abstract:The avalanche multiplication principle of electron multiplying CCD(EMCCD) was discussed based on single type of carrier,and a multiplication model wasbuilt by using a classic piecewise ioniza鄄 tion rate model and avalanche multiplication integralformula. Wolff爷sionization rate modelwas selected according to the structure and the multiplication gate voltage amplitude of the actual devices. By compa鄄 ring the theoretical result with the multiplication curve of the actual device,it can be found that only e鄄 nough fringing field and multiplication area can lead to an adequate signal multiplication. The relation鄄 ship between the multiplication gate voltage and the total gain of the cascaded boosting EMCCD can be determined by using the model. The calculation indicates that the actual device multiplication curve a鄄