某生利用如附图所示的电路测量一个待测电阻R的I-V.DOC

國立台灣師大附中九十四學年度第二學期高三物理補考試題 第一大題：單一選擇題 (每題7分；不倒扣) 1.某生利用如附圖所示的電路測量一個待測電阻R的I-V 曲線。試問電路中，X、Y、及Z各為何種器材﹖　(A) X：電阻箱；Y：伏特計；Z：安培計　(B) X：伏特計；Y：安培計；Z：電阻箱　(C) X：安培計；Y：電阻箱；Z：伏特計　(D) X：伏特計；Y：電阻箱；Z：安培計　(E) X：安培計；Y：伏特計；Z：電阻箱。 2.電路中ab的等效電阻為多少Ω？(A)4　(B)8　(C)16　(D)32 (E)64 。 3.三線圈均帶等量電流如右圖，則圓心O處磁場的量值與單獨一個線圈所生磁場的量值的比為：(A)1　(B)　(C)3　(D)。 4.一帶電質點由原點射入一平行於x軸的均勻磁場中，入射方向在xy平面，並與x軸夾角為60°，則螺旋線之半徑r與螺距d之比值為：(A) (B) (C) (D) (E)。 5.已知氫原子的電子從量子數n＝2能階躍遷至n＝1能階時，發射波長為121.5nm 的電磁波﹔從n＝4能階躍遷至n＝1能階時，發射波長為97.2nm 的電磁波。試問電子從n＝4能階躍遷至n＝2能階時，所發射電磁波的波長為何？(A) 112.0 nm　(B) 153.4 nm　(C) 272.8 nm　(D) 367.9 nm　(E) 486.0 nm(A) 2：3　(B) 4：9　(C) 3：2　(D) 9：4。 7.原子核融合反應式為：，為中子，則應為何種原子？(A) (B) (C) (D) (E)。1.由二直線段和半徑為a及b的二同心半圓構成的導線，載電流為i(如圖)，下列敘述何者正確?　(A)半圓AED與半圓BFC兩部份導線在圓心O點產生的磁場大小相同，方向相反　(B)由半圓AED部份導線在圓心O點產生的磁場量值為　(C)AB及CD部份導線在圓心O點產生的磁場為零　(D)當外加一垂直於紙面的均勻磁場於此導線處，則此導線所受之磁力之量值為2i(a-b)　(E)當外加一垂直於紙面的均勻磁場於此導線處，則此導線所受力矩之量值為。2.邊長分別為2a和a的正方形線圈係由相同材質及粗細的導線所繞成，如附圖所示。甲乙丙丁迴路上的導線電阻可不計：邊長a的線圈電阻為R。兩線圈面平行於紙面，有一均勻磁場B垂直進入紙面，甲乙丙丁的長方形圈面與磁場方向平行。試問當磁場以時變率b增加時，下列敘述，哪些正確？ (A)邊長2a的線圈電阻是邊長a線圈電阻的2倍 (B)流經邊長2a線圈上的電流大於流經邊長a線圈上的電流 (C)邊長2a線圈上的感應電動勢是邊長a線圈上感應電動勢的2倍 (D)丙丁線段上的電流由丙流向丁 (E)丙丁線段上的電流大小為a2b∕R。 3.一正方形線圈邊長為a，電阻為R，以等速v通過一與此線圈面垂直的磁場區域。此區域有兩部份，磁場之量值均為B；左半邊磁場方向為進入紙面，右半邊為射出紙面，如圖所示。下列敘述何者正確? (A)線圈剛進入磁場區域時，線圈內的電流量值為 (B)線圈剛進入磁場區域時，線圈內的電流方向為順時鐘方向 (C)整個線圈都在磁場區域時，線圈內的感應電動勢量值為 (D)整個線圈都在磁場區域時，線圈所受的磁力一直為零 (E)線圈內有感應電動勢的時間長為。 4.在波耳的氫原子模型中，氦離子(He+)中的電子以圓軌道繞行原子核，設此電子自基態躍遷至某一受激態，則下列電子的物理量中，躍遷後大於躍遷前的是：(A)位能 (B)動能 (C)物質波波長 (D)軌道運動的週期 (E)所受向心力的量值。 5.右圖所示的電路中，交流電源的最大電壓為12.0 V，理想變壓器的原線圈與副線圈的匝數比為2：1，二極體可視為理想的整流器：順向偏壓時，二極體形同短路；逆向偏壓時，二極體形同斷路，電阻R＝5.0Ω。電阻R 兩端的電位差（或稱電壓）VAB定義為VAB＝VA－VB，VA和VB分別為A點和B點的電位。試問下列敘述中，哪些正確？　(A) VAB的最大值為4.0 V　(B) VAB的最小值為0 V　(C)流經電阻R的電流為直流　(D)流經電阻R的平均電流為零　(E)流經電阻R的最大電流值為0.8 A。 6.下列有關半導體的敘述，那些正確? (A)不含雜質的純半導體材料，其電子、電洞的密度相同 (B)純的半導體材料溫度越高時，電子、電洞的密度越大 (C)矽半導體加入5價雜質，會形成P型半導體 (D)二極體的P、N接觸面形成一空乏區，空乏區的P型部分帶正電 (E)PNP三極體的基極為N型半導體。 國立台灣師大附中九十四學年度第二學期高三物理補考試題答案卷 班級： 姓名： 座號： 第一大題：單一選擇題 (每題7分；不倒扣) 1.