半导体器件4题库.ppt

* * * * Semiconductor Devices （2）GaAs MESFET结构 由于GaAs材料与Si材料相比，有以下几个优点：一是电子迁移率约高五倍；二是约两倍于Si饱和速度的峰值速度；三是衬底的半绝缘性以及可制作良好的肖特基结等。所以，长期以来GaAs MESFET在高频高速器件中占据着重要地位。 （3）JFET 因为PN结的自建势高于肖特基结，PN结的热稳定性也优于肖特基结。因而JFET的逻辑摆幅大于MESFET，且抗噪声能力强。所以，GaAs JFET可用于高速低功耗电路中。 * * Semiconductor Devices （4）V型槽JFET V型槽JFET是一种非平面结构的场效应器件。 首先在P+衬底上外延生长（100）的N型外延层，以形成P+N结；接着在N型层上扩散一薄N+层，形成漏源接触区。然后采用各向异性腐蚀法，腐蚀出V型槽。槽边与水平面成54.70。因此，腐蚀深度随槽宽的不同而自动停止在不同的深度上。两边的V型槽是用于沟道间相互隔离的隔离槽，中间的V型槽是沟道槽。 由于V型槽JFET的有效沟道长度远小于栅长L，因而其导通电阻变小，跨导增大。器件工作在饱和区时，VFET的夹断点在靠近沟道的中点，而不在漏端，因此，V型槽JFET的器件性能优于平面JFET。 * * Semiconductor Devices §4.6 异质结MESFET 1．常规HFET 二维电子气（2DEG）：电子或空穴在平行于界面的平面内自由运动，而在垂直于界面的方向受到限制。 材料：AlGaAs/GaAs,AlGaAs/GaInAs/GaAs,AlInAs/GaZnAs/InP,SiGe/Si等。 新型的化合物FET，宽带隙器件，金刚石、ZnSe、SiC、GaNZnO等，以及异维器件（hetero dimensional devices）2D、3D，毫米波器件，高速超低功耗集成电路。 * * Semiconductor Devices 2．基本结构 （1）用Ⅲ－Ⅴ族三元化合物Ga0.47In0.53As作有源沟道层的双异质结器件，用分子束外延技术将该半导体层生长在100方向的InP半绝缘衬底上，半导体层和InP衬底的晶格匹配良好，界面陷阱密度很低。顶部的Al0.48In0.52As层和铝栅形成一个肖特基势垒。ΦBn＝0.8V，沟道中的电子被限制在有源层Ga0.47In0.53As内。由于有源层迁移率和峰值速度比GaAs高，所以能获得较高的跨导和较高的工作速度。 * * Semiconductor Devices （2）肖特基势垒接触做在宽禁带材料上，如AlxGa1-xAs，是用外延方法生长在较窄禁带材料（如GaAs）上，适当控制这两种半导体材料的禁带宽度和掺杂浓度，就能在两种半导体界面上形成一个反型层。 所谓反型层，是一个少数载流子浓度高于平衡时的多子浓度的区域。（详细的将在MOS器件一章中讨论）因为反型层具有高电导率，所以从源到漏能通过大电流，当加上栅压时，反型层电导将受栅压调制而引起漏电流变化，其IV特性类似于耗尽型MESFET的IV特性。 若窄禁带材料是低掺杂的，其反型层内的迁移率将很高，这既能提高跨导，又能提高器件的工作速度和截止频率。 * * Semiconductor Devices 3．I-V模型 可与GaAs MESFET相似的过程建模。 4．C-V模型 同样类似于GaAs MESFET的C-V模型。 5．SPICE模型 一般以MOSFET模型来模拟HFET器件和 电路，比较精确。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Devices 上面只考虑用栅极调制的沟道电阻，实际器件中，靠近源端和漏端存在串联电阻，这些电阻引起源漏接触电极和沟道之间产生电压降IR，可以认为中央区截面是“本征”JFET。 具有串联电阻的JFET端跨导和端沟道电导分别为 * * Semiconductor Devices （2）频率参数 JFET的频率参数主要有两个。一个是特征频率fT，另一个是最高振荡频率fm。 ①特征频率fT fT的定义为在共源等效电路中，在输出端短路条件下，通过输入电容的电流等于输出漏极电流时的频率。