硅雪崩光电二极管.PDF

深圳市奥普徕斯科技有限公司 Shenzhen oplais technology Co., Ltd Shenzhen oplais technology Co., Ltd SShheennzzhheenn ooppllaaiiss tteecchhnnoollooggyy CCoo..,, LLttdd SiliconAvalanchePhotodiode(APD) SiliconAvalanchePhotodiode(APD) SSiilliiccoonnAAvvaallaanncchheePPhhoottooddiiooddee((AAPPDD)) OPLS-SOD500TO52S1 OPLS-SOD500TO52S1 OOPPLLSS--SSOODD550000TTOO5522SS11 OPLS-SOD500TO52S1探测面积为500um雪崩 光电二极管。 原理 该器件是采用进口硅雪崩光电二极管芯片，与 国内成熟封装技术支持下的产物。具有在反向 偏置条件下性能稳定，，低噪声，高响应工作。 峰值波长在 900nm 左右，光谱探测范围从 400-1100nm。 特点 应用 ．高响应 ．可见光至近红外的光电探测及转换 ．低噪声 ．用于弱光探测 ．高性能 (Ta 2 (Ta 2 技术指标 ((TTaa＝223℃) 参数 符号 测试条件 最小 典型值 最大 单位 光敏面直径 ￠ 0.5 mm 光敏面有效面积 A 0.196 m㎡ 光谱响应范围 λ 450-1100 nm 响应度 Re λ＝905nm,M＝ 55 58 60 A/W 100, λ ＝ 650nm,M＝100, 35 40 45 响应时间 Tr 0.8 ns 等效噪声功率 N.E.P. M＝100,905nm 2x10w/Hz1/2 2x1014 W/Hz1/2 暗电流 Id M＝100 2 5 nA 反向击穿电压 Vbr I ＝1uA 220 300 V R 结电容 Cj M＝100 1.2 pF