大功率半导体激光器及其应用题库.ppt

808 ～ 976nm 主要用于固体激光器材料的泵浦 除了泵浦固体激光器外，半导体激光器还能用于泵浦气体激光器，这也是一个重要的应用领域。 半导体激光器能够泵浦基于铷（泵浦波长794.8nm）或铯（泵浦波长780nm 或 852nm） 的碱性蒸汽激光器。 弹道导弹防御系统 1064nm波长的半导体激光器可取代现有的Nd：YAG 激光器。 1210nm 波长，其可用于激光辅助吸脂，这种技术就是所谓的破坏脂肪细胞，并且同时收紧皮肤。 1320 ～ 1380nm（基于InP 晶体）波段的半导体激光器已经可以用于医疗领域 1470nm 是半导体激光器的一个常见波长，其最初主要用于光通信领域，在医疗设备制造中用于白色聚合物的塑料焊接；飞机前方的湍流探测；泵浦掺铒晶体，实现2μm 范围的激光波长。 1550nm 和1650nm波长磷化铟（InP） 的半导体激光器。 主要用于照明用途或红外线干扰措施（IRCM）。 距离选通激光成像 总 结 国内，最近几年高功率、高光束质量大功率半导体激光器相关领域方面也取得了长足的进步，但是在半导体激光器的核心部件—半导体激光芯片的研制和生产方面，一直受外延生长技术、腔面钝化技术以及器件制作工艺水平的限制，国产半导体激光器件的功率、寿命方面较之国外先进水平尚有较大差距。 随着LED、多节GaAs太阳能电池、红外热成像器等技术的不断应用和发展，化合物半导体器件的外延技术和封装技术将不断成熟，大大促进半导体激光器件的国产化，从而推动半导体激光器这一高效、节能型激光器更广泛地运用于我国的工业、国防、科研等领域中。 谢谢！ 2012年3月 长春 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 4、标准Bar条阵列发展现状 伴随着高质量、低缺陷半导体材料外延生长技术及腔面钝化技术的提高，现有Bar的腔长由原来的0.6～1.0 mm增大到2.0～5.0mm，使得Bar输出功率大幅度提高。 2008年初，美国光谱物理公司。5 mm腔长，填充因子为83%双面微通道热沉冷却，当前实验室最高 Bar连续功率输出水平。 808 nm， 800 W/bar 940 nm，1010W/bar 980 nm，950 W/bar 德国的JENOPTIK公司、瑞士的Oclaro公司等也相续制备获得千瓦级半导体激光阵列，在现有技术条件下制备获得1.5kW/bar阵列器件已不成问题。 制约因素 低压大电流恒流电源的高成本问题：在工程运用中，数伏电压数百安电流的组合会产生众多实际问题 微通道热沉散热寿命短的问题 新型高效散热技术如相变冷却、喷雾冷却以及微热管技术由于其性能特点、成本以及结构兼容性问题在短期内难以真正实用于Bar散热领域。 不再一味追求提高Bar的输出功率，逐渐将发展重点转移到大功率、高光束质量的半导体激光单元器件和短阵列器件研制。 5、单元器件发展现状 半导体激光单元器件具有独立的电、热工作环境，避免了发光单元之间的热串扰，使其在寿命、光束质量方面具有明显优势。 驱动电流低：降低了对驱动电源的要求 发热量相对较低：传导热沉散热，提高可靠性。 IPG、JDSU公司等90~100 μm条宽单管器件 9XX nm波段，连续输出20~25 W/emitter； 8XX nm波段，连续输出12W/emitter。 寿命大于10万小时。 6、短阵列器件发展现状 短阵列器件（mini-bar）是在同一芯片衬底上集成数个单元器件而获得，它实际是 Bar与单元器件在结构上的折衷优化。 2009年，德国Osram与DILAS公司合作，利用5个100 μm条宽、4 mm腔长980 nm发光单元的短阵列器件(填充因子10%)，CW功率大于80W，转换效率高于60%，发光单元功率16W/emitter。 寿命与单元器件相当。 7、高亮度光纤耦合模块 半导体激光器件功率的增大与发散角的降低促进了大功率半导体激光器光束质量的迅速提高，直接体现在光纤耦合输出半导体激光模块尾纤直径的减小以及出纤功率的不断增大。 根据其内部采用的半导体激光器件类型及其封装形式不同可分为以下几种具体形式 半导体激光单元器件集成光纤耦合输出 半导体激光短阵列器件集成光纤耦合输出 微通道热沉封装结构半导体激光阵列堆光纤耦合输出 传导热沉封装半导体激光阵列光纤耦合输出 7.1 半导体激光单元器件集成光纤耦合输出 单管半导体激光器件直接耦合进入光纤 体积小、成本低、寿命长、技术