叠烧对ZnO压敏电阻中Bi_2O_3挥发的控制.pdfVIP

第28 卷 第3 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.28 No.3 2009 年3 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Mar. 2009 研 究 与 试 制 叠烧对ZnO 压敏电阻中Bi O 挥发的控制 2 3 1 2 3 2 1, 3 吴振红 ，方建慧 ，徐 东 ，巫欣欣 ，施利毅 （1. 上海大学 纳米科学与技术研究中心，上海 200444 ；2. 上海大学 理学院，上海 200444 ；3. 上海大学 材料 科学与工程学院，上海 200072 ） 摘要: 采用高能球磨法制备 ZnO 压敏电阻混合粉体。用 XRD 、SEM 对其形貌和微观结构进行了表征。研究了 叠烧烧结时，不同位置 ZnO 压敏电阻中 Bi2O3 的挥发情况及对其电性能的影响。结果表明：中心位置处 ZnO 压敏 电阻的非线性系数为31 ，较表层提高 100%；其漏电流为 6.0 µA ，电位梯度为345 V/mm。Bi2O3 的挥发，呈现从中 心到表层逐步加剧的趋势。 关键词: ZnO 压敏电阻；叠烧；Bi O ；电性能 2 3 中图分类号: TB34 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2009 ）03-0007-03 Superposition sintering to control Bi O vaporization in ZnO varistors 2 3 1 2 3 2 1, 3 WU Zhenhong , FANG Jianhui , XU Dong , WU Xinxin , SHI Liyi (1. Research Center of Nanoscience and Technology, Shanghai University, Shanghai 200444, China; 2. College of Science, Shanghai University, Shanghai 200444, China; 3. School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China) Abstract: The ZnO varistor mixed powder was prepared by high energy ball milling ZnO, Bi O , Sb O , Cr O , Co O 2 3 2 3 2 3 2 3 and MnO together. The morphology a