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第 25卷 第 2 期 无 机 材 料 学 报 Vo l. 25, No. 2
2010年 2 月 Journal of Inorgan ic M aterials Feb. , 20 10
文章编号 : 1000324X (20 10) DO I: 10. 3724 / SP. J. 1077. 2010. 00 157
锌硼玻璃掺杂低压 ZnO 压敏电阻电性能及晶粒生长动力学研究
万 帅 , 吕文中
(华中科技大学 电子科学与技术系 , 武汉 430074)
摘 要 : 研究了锌硼玻璃掺杂量对低压 ZnO 压敏电阻微观结构和电性能的影响. 结果表明 , 当掺杂量 x = 0. 1w t%时 ,
α μ
可以得到较好综合性能的 ZnO 压敏电阻 : E = 36. 7V /mm , = 30. 4 , I = 0. 1 A. 并应用晶粒生长动力学唯象理论
1mA L
研究了锌硼玻璃掺杂低压 ZnO 压敏电阻的晶粒生长规律 , 探讨了锌硼玻璃掺杂对低压 ZnO 压敏陶瓷晶粒生长的作用
机理. 当烧结温度 T ≤1000 ℃时 ,其晶粒生长动力学指数 n≈4. 54 , 激活能 Q≈3 16. 5kJ /mol, 这是由于未熔融的锌硼玻
璃通过颗粒阻滞机理阻碍了 ZnO 压敏陶瓷晶粒的生长 ; 而当 T 1000 ℃时 , 其晶粒生长动力学指数 n≈2. 92 , 激活能
Q = 187kJ /mol, 这是由于熔融的锌硼玻璃通过液相烧结机理促进了晶粒的生长.
关 键 词 : 锌硼玻璃 ; 压敏电阻; 电性能 ; 动力学指数 ; 激活能
中图分类号 : TN 304 文献标识码 : A
Electr ica l Properties and K inetic of Cry sta lline Gra in Grow th of
L owvoltage ZnO Var istor D oped w ith Zn B Gla ss
WAN Shuai, L W enZhong
(D ep artm ent of E lectron ic Science and Techno logy, Huazhong U n iversity of Science and Techno logy, W uhan 430074 , Ch ina)
A b stract: The effects of ZnB gla ss additive on m icro structu re and electrical p rop ertie s of low vo ltage ZnO
varistor were studied. The re su lts show that ZnO varistor w ith x = 0. 1w t% ob tain s the op tim al non linear elec
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