模电基础1 半导体器件.pptVIP

模拟电子技术 主讲教师：郭 琳 博士 清华大学电信工程院 硕士生导师 二00七年九月 第一章 第一章 半导体器件 第一章 半导体器件 第一节 半导体的特性 第二节 半导体二极管 第三节 双极型三极管 第四节 场效应三极管 本章小结 1.1.1 本征半导体 1、什么是半导体 2、半导体的独特性能 半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有以下三大特性： (1) 掺杂特性： 3、本征半导体 半导体为什么具有奇妙的导电特性？ 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量的特定杂质，其导电能力将大大提高（可提高几十万倍以上），称之为杂质半导体 。 根据掺入杂质性质不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体两大类。 N型半导体是中性体，本身并不带电，当掺入的磷原子提供了一个自由电子后，变成不能移动的正离子，用“+”来表示。N型半导体的结构示意图如图1.1.6所示。 在本征半导体中掺入微量的三价元素，可以形成P型半导体 1.2　半导体二极管 1.2.1 PN结及其单向导电性 载流子浓度差引起各自的多子向对方扩散，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，在交界面易出现电子与空穴相遇同时消灭即出现了复合现象，结果在交界面两边P区留下了带负电的负离子，N区留下了带正电的正离子，形成了空间电荷区，建立了PN结电场。这个电场称为内电场，方向由N区指向P区。它阻碍着多子扩散运动，有利于少子的漂移运动。当多子扩散运动和少子漂移运动达到动态平衡时，这个空间电荷区不再变化，这时的空间电荷区称为PN结，如图所示。由于空间电荷区内无载流子，所以也叫耗尽层。 1.2.2 二极管的伏安特性 PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，构成了晶体二极管，简称二极管。其基本结构如图1.2.1（a）所示。 2）二极管的类型 2、二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 作 业 1-3 1-4 * 北京邮电大学电信工程学院 半导体器件 教学要求： 1.正确理解PN结的形成及单向导电性 。 2.熟练掌握普通二极管、稳压二极管的基本特性 和主要参数 。 3.熟练掌握三极管的输入、输出特性及主要参 数。 物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类 。 导电能力很强的物质称为导体，如铜、铝等金属。 导电能力很弱的物质称为绝缘体，如塑料、玻璃等。 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge）,其中硅用的最为广泛。 1.1　半导体的特性 在纯净的半导体（通常称本征半导体）中掺入极其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 (2) 热敏特性 ： (3) 光敏特性 ： 对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 1）本征半导体 纯净的不含杂质的半导体，称为本征半导体。简称为半导体。 2）本征半导体晶体结构 大量的半导体原子集合到一起是一种晶体结构 。在绝对温度为零度（0K，相当于-273.15℃）时，由于每个价电子都被共价键束缚，不能自由移动。这时，本征半导体是不导电的，相当于绝缘体。 3）本征激发 在本征半导体中，价电子从外界获取能量（如温度升高、光照等）挣脱共价键束缚成为自由电子，同时在原来的位置留下“空穴”。这一现象称为本征激发。 本征激发的结果是在半导体中产生“电子-空穴”对，如图1.1.3所示。 电子带负电，空穴带正电，统称为载流子。 在电场力的作用下，电子逆着电场方向定向运动形成电子电流，“空穴”顺着电场方向定向运动（其实是价电子填补运动）形成空穴电流，如图1.1.4所示。 半导体中的电流是电子流和空穴流的总和。而导电性能的强弱取决于半导体中的载流子的浓度大小。 图1.1.3 本征激发产生电子空穴对示意图 图1.1.4半导体中的两种载流子导电示意图 ★半导体的奇妙导电特性是与其原子最外层的价电子有关 的。半导体材料硅有四个价电子，每个硅原子和它相邻的 四个硅原子通过共价键结合起来，是一种晶体结构。 ★半导体受热或受光照射时，部分价电子获得足够的能量， 得以挣脱共价键的束缚而成为自由电子，自由电子逸出的 空位就