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光电传感器（Photoelectric sensor） Download the document collection photoelectric sensor paper mainly introduces the principle of photoelectric sensor, applicable occasions, optoelectronic components and features, as well as view sensor development prospects Mainly introduces the principle of the photoelectric sensor, applicable occasions, optoelectronic components and features, and prospects of the development of view sensor hidden 光电传感器关键字:光电效应 光电元件 光电特性 传感器分类 传感器应用 摘要:在科学技术高速发展的现代社会中,人类已经入瞬息万变的信息时代,人 们在日常生活,生产过程中,主要依靠检测技术对信息经获取,筛选和传输,来 实现制动控制, 自动调节, 目前我国已将检测技术列入优先发展的科学技术之一. 由于微电子技术,光电半导体技术,光导纤维技术以及光栅技术的发展,使得光 电传感器的应用与日俱增.这种传感器具有结构简单,非接触,高可靠性,高精 度,可测参数多,反应快以及结构简单,形式灵活多样等优点,在自动检测技术 中得到了广泛应用,它一种是以光电效应为理论基础,由光电材料构成的器件. 正文: 一,理论基础——光电效应光电效应一般有外光电效应,光导效应,光生伏特效应. 光照在照在光电材料上,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足 够大是,电子会克服束缚脱离材料表面而进入外界空间,从而改变光电子材料的 导电性,这种现象成为外光电效应 根据爱因斯坦的光电子效应,光子是运动着的粒子流,每种光子的能量为 hv(v 为光波频率,h 为普朗克常数,h=6.63*10-34 J/HZ),由此可见不同频率 的光子具有不同的能量,光波频率越高,光子能量越大.假设光子的全部能量交 给光子,电子能量将会增加,增加的能量一部分用于克服正离子的束缚,另一部 分转换成电子能量.根据能量守恒定律: 1 mν 2 = hν - A 2 式中,m 为电子质量,v 为电子逸出的初速度,A 微电子所做的功. 由上式可知,要使光电子逸出阴极表面的必要条件是 hA.由于不同材料具 有不同的逸出功,因此对每一种阴极材料,入射光都有一个确定的频率限,当入 射光的频率低于此频率限时,不论光强多大,都不会产生光电子发射,此频率限 hc 称为红限 .相应的波长为 λ K = A 式中,c 为光速,A 为逸出功. 当受到光照射时,吸收电子能量,其电阻率降低的导电现象称为光导效应. 它属于内光电效应.当光照在半导体上是,若电子的能量大与半导体禁带的能级 宽度,则电子从价带跃迁到导带,形成电子,同时,价带留下相应的空穴.电子, 空穴仍留在半导体内,并参与导电在外电场作用下形成的电流. 除金属外,多数绝缘体和半导体都有光电效应,半导体尤为显著,根据光导 效应制造的光电元件有固有入射光频率,当光照在光电阻上, 其导电性增强,电 阻值下降.光强度愈强,其阻值愈小,若停止光照,其阻值恢复到原阻值. 半导体受光照射产生电动势的现象称为光生伏特效应, 据此效应制造的光电 器件有光电池,光电二极管,管控晶闸管和光耦合器等. 二,光电元件及特性 根据外光电元件制造的光电元件有光电子,充气光电管和光电倍曾管. 1.光电管 光电管的种类繁多,典型的产品有真空光电管和充气光电管,光 它的外形和结构如图 1 所示, 半圆筒形金属片制成的阴极 K 和位于阴极轴心的金 属丝制成的阳极 A 封装在抽成真空的玻壳内,当入射光照射在阴极上时,单个光 子就把它的全部能量传递给阴极材料中的一个自由电子, 从而使自由电子的能量 增加 h.当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功 A 时,它就可以克服金属表面 束缚而逸出,形成电子发射.这种电子称为光电子,光电子逸出金属表面后的初 2 始动能为 (1 2) mv 光电管正常工作时, 阳极电位高于阴极, 如图 2 所示. 在人射光频率大于 红 限的前提下,从阴极表面逸出的光电子被具有正电位的阳极所吸引,在光电管 内形成空间电子流,称为光电流.此时若光强增大,轰击阴极的光子数增多,单 位时间内发射的光电子数也就增多,光电流变大.在图 2 所示的电路中,电流和 电阻只上的电压降就和光强成函数关系,从而实现光电转换.当光线照射到光电 阴极 K 上