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第四章 电子阻止截面  S (E ) Td T ()d   0 T max  T (T )dT 0 1 第四章 电子阻止截面 M , v M , v 1 0 1 M , v =0 2 2 离子在固体中的总阻止截面分为两个独立无关的部分： 离子传递给靶原子核的能量（称为核阻止或弹性能损）和传 递给靶电子的能量（称为电子阻止或非弹性能损）。当我们 单独考虑电子阻止时，相当于假设靶原子核的质量无穷大， 离子与核的碰撞不损失能量，而是通过以下几种过程将其所 携带的能量传递给靶电子： 2 第四章 电子阻止截面 1）、通过电子－电子碰撞而直接将动能传递给靶原子； 2）、靶原子紧束缚电子（即定域电子）的激发或电离； 3）、禁带或导带电子的激发，即弱束缚或非定域的靶原子的 能级变化； 4）、入射离子的电子激发、电离或捕获。 入射离子在固体靶中电子阻止过程的特点是： 1）、电荷态的变化，即随着离子速度的变化，离子所带电荷或发 生相互作用时的有效电荷也随之变化； 2）、近似直线运动，即入射离子与比它质量轻很多的电子发生碰 撞后其运动方向几乎不变。 3）、均匀能损，即入射离子在靶中的电子能损是均匀变化的。 3 第四章 电子阻止截面 与载能离子在靶中核阻止截面相比，电子阻止截面的 理论研究是非常复杂的，其复杂性表现为： 根据入射粒子能量的不同，可分为： 高能区：裸核入射；近似将靶原子中电子看作是独立存在的。 低能区：有效电荷；近似将靶原子中的电子看作是电子气。 中能区：局域密度近似、经验拟合。 根据对入射粒子的描述的不同，可分为： 经典的：两个带电粒子的弹性碰撞 量子的：波（Bethe）和粒子（Bloch） 最复杂的是，入射离子的电荷态在不断发生变化。 4 第四章 电子阻止截面 第一节 简单理论 一、Rutherfold散射(Thomson理论) 首先我们来考察两个无屏蔽粒子碰撞的经典过程。 设入射粒子的质量、核电荷数、速度分别为M 、Z 、v，静止粒 1 1 子的质量、核电荷数、速度分别为M 、Z ，0，则由对头碰撞有 2 2 Z Z e2 1 M M 2 1 2 1 2  v （4－1－1） b 2 M M