镀膜机 上传.pptVIP

镀膜机简介 富森钛金 迪通恒业科技 联合出品 真空镀膜机的结构 蒸发镀膜(法拉第，1857) 离子镀膜(麦托克斯,1963) 溅射镀膜(1870年) 溅射镀膜的特点总结 相对于真空镀膜，溅射镀膜具有如下特点： 对于任何待镀材料，只要能作成靶材，就可实现溅射； 溅射所获得的薄膜与基片结合较好； 溅射所获得的薄膜纯度好，致密性好； 溅射工艺可重复性好，膜厚可控制，同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜； 缺点是：沉积速率低，基片会受到等离子体的辐照等作用而产生温升。 薄膜溅射法的分类 直流溅射（即二极溅射） 三极、四极溅射 磁控溅射 射频溅射 偏压溅射 反应溅射 中频孪生靶溅射和脉冲溅射 磁控溅射 自从20世纪70年代初磁控溅射技术诞生以来，磁控溅射技术在高速率沉积金属、半导体和介电薄膜方面已取得了巨大进步。 与真空蒸发、传统溅射镀膜相比，磁控溅射除了可以在较低压强下得到较高的沉积率以外，它也可以在较低的基片温度下获得高质量薄膜。 * 真空镀膜机 的结构 抽真空系统 电气系统 镀膜室 机械泵 油扩散泵 真空镀膜方式 离子镀膜 蒸发镀膜 溅射镀膜 物理方法沉积薄膜 加热方式： 电阻法 电子束 高频感应 将气体的辉光放电、等离子体技术与真空蒸发镀膜结合起来 真空蒸发与阴极溅射技术的结合 辉光放电是溅射技术的基础。 辉光放电：真空度为10-1~10-2 Torr，两电极间加高压，产生辉光放电。电流电压之间不是线性关系，不服从欧姆定律。 类型 粒子荷电性 能 量 （eV） 沉积速率 绕射性 蒸发 中性 0.1?0.3 高 差 溅射 中性 3 ? 10 低 差 离子镀 带正电 10?100 高 好 蒸发、溅射和离子镀特点比较 溅射与蒸镀法的原理及特性比较 1.原子的热蒸发机制 2.低的原子动能（温度1200K时约为0.1eV） 3.较高的蒸发速率 4.蒸发原子的运动具方向性 5.蒸发时会发生元素的贫化或富集，部分化合物有分解倾向 6.蒸发源纯度可较高 1.离子轰击和碰撞动量转移机制 2.较高的溅射原子能量（2?30eV） 3.稍低的沉积速率 4.溅射原子的运动具方向性 5.可保证合金成分，但有的化合物有分解倾向 6.靶材纯度随材料种类而变化 沉积气相的产生过程 蒸镀法 溅射法 溅射与蒸镀法的原理及特性比较 1.沉积原子能量较低 2.气体杂质含量低 1.沉积原子具有较高能量 2.沉积过程会引入部分气体杂质 薄膜的沉积过程 1.高真空环境 2.蒸发原子不经碰撞直接在衬底上沉积 工作压力稍高 原子的平均自由程小于靶与衬底间距，原子沉积前要经过多次碰撞 气相过程 蒸镀法 溅射法 靶材：可以是纯金属、合金以及各种化合物 一般溅射方法的两大缺点： 溅射沉积薄膜的速率较低 溅射所需的气压较高，否则放电现象不易维持 两者导致污染几率增加，溅射效率低 磁控溅射方法 解决的办法：磁控溅射 磁控溅射 磁控溅射的原理示意图 磁控溅射的特点： (a) 二次电子以园滚线的形式在靶上循环运动，路程足够长，电子使原子电离的机会增加。 (b) 提高了电离效率，工作气压可降低到10-3?10-4 Torr，减少了工作气体与溅射原子的散射作用，提高了沉积速率。 (c) 高密度等离子体被电磁场束缚在靶面附近，不与基片接触。这样，电离产生的正离子能有效地轰击靶面；基片又免受等离子体地轰击，制膜过程中温升较小。 有效地解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题 存在的问题： 不能实现强磁性材料的低温高速溅射 用绝缘材料的靶会使基板温度上升 靶子的利用率低(10%-30%)，靶表面不均匀溅射 反应性磁控溅射中的电弧问题 膜的均匀性 靶的非均匀腐蚀及内应力 颗粒（重溅射） * * *