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LJY4N01_规格书_EN
森利威尔 提供技术 1353400 曾
电子有限公司 方案样品 25546
LJY4N01
N-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTION
The LJY4N01 uses advanced trench technology and design to provide excellent
RDS(ON)with lowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.
GENERALFEATURES Application
● VDS = 100V,ID=3.5A ； ●Powerswitchingapplication
RDS(ON)200mΩ@ ●HardSwitchedandHigh
VGS=10V (Typ:160mΩ) FrequencyCircuits
VGS=4V5(Typ:200mΩ) ●UninterruptiblePowerSupply
● HighdensitycelldesignforultralowRdson
● FullycharacterizedAvalanchevoltageandcurrent
● Excellentpackageforgoodheatdissipation
Schematicdiagram SOT23-3view TO-92view
PackageMarkingAndOrderingInformation
DevicePackage Device DeviceMarking
3-Pin TO-92, Pb-free A4 LJY4N01-T
3-Pin SOT23-3, Pb-free MA4 LJY4N01-M
Absolute MaximumRatings(TA=25℃unlessotherwisenoted)
symbol parameter Limit unit
VDS Drain-SourceVoltage 100 V
VGS Gate-SourceVoltage ±20 V
ID DrainCurrent-Continuous 3.5 A
IDM DrainCurrent-Pulsed 12 A
PD MaximumPowerDissipation 2 W
TJ,TSTG Operating Junction and Storage Temperature -55To 150 ℃
Range
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