VMOS功率场效应晶体管(下).pdfVIP

维普资讯 李 中 江 四，VMOS功率场效应晶体管在通信中的 随器方式连接，VT8～1O按共源方式连接，电 应用 阻R14、Rt5和电容c5组成局部反馈电路，用 1． 高保真、高效率音频功率放大器 来调节VT8～ 1O的性能，使之与VTI1—13相 VMOS功率场效应晶体管具有极佳的线性 匹配。这种接法称为准互补对称电路，在双撅 传输特性，是高保真音频放大器的理想功率放 型晶体管电路中，也经常使用。 大器件。一般地说，VMOS功率场效应晶体管 2． 宽带功率放大器 音频放大器，具有高保真、电路简单，容易实 VMOS功率场效应晶体管不仅能够用于一 现 自保护等重要优点。此外，VMOS功率器件 般的调幅单边带放大器中，而且 由于它们没有 的问世，使高效率D粪和G粪开关音频功率放 少数载流子存储效应，在高额开关型D类、E 大器的生产成为可能。下面，我们举例对音频 类和F类放大器中，也能提供优 良的工 作 特 功率放大器简单地加以介绍。 性。在高频应用中，VMOS器件既能当功率晶 图8是一种输出功率可达40W的高保真音 体管使用，又能作小信号低噪声晶体管使用 额功率放大器电路。对lkHz的音频信号，输出 VMOS功率晶俸管在射频范围内的输人阻抗一 功率40W时，其失真度不大于0．04 。 般仍有数十欧姆，比同样水平的双极型功率晶 晶体管VT1，VT2组成差动放大器，vTl 体管的射频阻抗要高许多倍，比较容易实现阻 管的基极是差动放大器的输人端，VT2管的基 抗的匹配。图7是工作频率从40MHz到220MIiz 极是输出信号的反馈端，反馈因子为1：21。差 豹单管宽带放大器 。它的输出功率 为 4．4W， 动对管vTl、VT2]~输出信号送到另一差 功率增益接近9(IB，平坦响应为±0．5dB。 管VT3、VT4的基极，同时，VT3、VT4又是 3． 逻辑开关电路 集成 电路CA3045的电流源 。集成电路CA3045 VMOS功率晶体管在摸拟开关应用方面获 驱动晶体管VlT5、VT6，VT5、VT6的输出信 得了巨大的成功，解决了模拟开关的高速度、 号驱动音频功放输出级VT1l～l3和vT8～l0。 大电流和低电阻问题，与其它类型的模拟开关 VMOS功率场效应晶体管VT1l～13按源 撅跟 元器件相比，具有下列优点：插^损耗小}输 出电流大，能够驱动电 容性负载较大的负载电 路 |关断状态绝馨能力 强}可 以直接与CMOS TTL等集成电路 兼 容 使用}谐渡失真和互调 制畸变小。