T3Ster操作基础与原理.ppt

微分结构函数 Thank you！ 今天我们来学习一下，热阻测量的知识，还有我们这里热阻测量使用的仪器T3ster的一些知识。今天主要讲三部分内容，首先，测量热阻，就要知道什么是热阻，测量原理，所以先讲一下建立热阻测量的理论知识；然后是通过这台仪器的操作，怎样进行热阻测量。所以接下来就是2, 最后是这台仪器独有的分析理论。 * 参考点变化，热阻也变化。光功率应该去掉。 * * 直接测量，需要温度探测器插入器件，对器件破坏，所以我们采用间接测量 * 我们发现在小电流下，注意是小电流，不是大电流。电压与温度成线性关系。如果我们确定了一个led这种关系，就可以从它的电压变化推出他的温度变化。 * 我们可以这样测量，两个温度点即可，温度点越多，越准确。 * 这样就可以把热阻公式，转化为完全的电参数计算。这些参数都能够方便的测量出来。 * 关键就是要测量这个温度差。这个温度差怎么测量呢。点亮LED后他有个温度上升的过程，这个过成非常块，我们就在这个过程中实时监测他的温度变化，一直到他稳定。但是还有更方便的一个方法，就是。。。。我们发现。。。 * 是相同的两个过程 * 我这里没有做仪器测量的逐个操作步骤，我只把操作中一些要点做一些解释，主要说明为什么这么做，某一步操作实现的目的与建立的原理。 * 主板与相应的接口对结，由于测试需要有两个电流，仪器设置的是大小电流同时通入，所以要串联。 * * 从小量程开始，一次调节，一直到选到合适的量程，一般400足够。 * H的意思是，量程的上端在此（高）电压之上。 * 只要确定在此之内即可，因为量程已经调好，总范围确定。 * 分别对应高端地端，之间的点在这之间。 * Delay就是延迟时间，就是说还有多少时间之后开始测量。 * 选择处理曲线的方式 * 找到最小点 * 理想结构图分层明显，线平直，热阻大对应破平的线，热阻小对应坡陡的线。 * 由于工艺，实际热流并不是一位的原因，实际结构图分层并不是十分明显。 * 有时候我们如果要得到LED整个器件的热阻，我们可以做一些对比测量。 * 微分结构函数就是积分结构函数的一个导师，和积分曲线的功能相近，只是有时候能从他的结果中更容易辨别热阻的区间。他是波峰代表热阻小的物质，波谷代表热阻大的物质 * 1.热阻测量原理 2.仪器测量 3.结构函数 1.热阻测量原理 热阻:当LED在工作状态下达到热平衡状态时，PN结与参考点(如热沉、环境)之间有一个稳定的温度差，其与该传热通道上耗散的功率之比称为热阻。 为结温，即LED芯片PN结的温度； 为参考点温度 是由于通入大的电流所致，通入LED的电功率有一部分转化为热能，热量散发不出去，促使结温升高。 使结温与环境温度有个温度差 。 我们需要测的是温度，但是芯片里面的温度 不容易测量。 我们测量温度变化时的电压变化， 然后通过 为了能从V得到T，所以要先确定电压与结温之间的关系。 电压温度（K）系数 在小电流下，电压与温度成线性关系 T V K系数的测量过程 65℃ 45℃ 25℃ 25℃ 45℃ 65℃ 图中直线的斜率即为K 热阻公式转换为： 通入电流，结温上升与断开电流，结温下降两个过程中的温度变化相同，所以可以通过测量冷却过程得到LED工作时结温的变化。 冷却曲线测试过程 2.仪器测量 界面：电路连接 测试电路板接法 DIODE MicReD DVM IN I SENSE I E+ A C F+ S+ S- F- 电流设置 Emitter Current：工作电流 Sensor Current：测试电流， 20mA小管一般选择1-5mA， 350mA大管一般选择5-10mA, 电流太小，噪声会很大， 电流太大，会产生热效应。 UCB Voltage：小于5V时不用 设置，大于5V时需要设置负电 压补偿，同时更换与之匹配的电路主板。 电流模式 IF t Isense Idrive 1s 300μs IF t Isense Idrive 1s 300μs 测试通道与量程窗口  电压范围调节 Press Adjust 1.确定高电压 IF t Isense Idrive 300 μ s 2.确定低电压 1s t Isense Idrive 1s 300 μ s 1.确定高电压 2.确定低电压 小电流下，（结几乎不被加热）结温低，电压高。 先通入大电流，结温升高，之后通过脉冲（300 μ s）下的小电流测量，结温还没有降低时候的电压，电压低。 测试时间的设定 Press to download measured data to t