蚀刻过程培训 2.pptVIP

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2017-07-22 发布于河南
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蚀刻过程培训 2.ppt

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蚀刻过程培训 2

刻蚀工艺培训 ;热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。此电势差可以用简单的微伏表测量。热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的点烙铁。;什么是湿法刻蚀;HF/HNO3体系腐蚀机理;HF/HNO3体系腐蚀机理;HF/HNO3体系腐蚀机理;HF/HNO3体系腐蚀机理特点;HF/HNO3体系两区域腐蚀机理特点;HF/HNO3体系腐蚀液的选择;湿法刻蚀特点; 用无掩膜的背腐蚀来代替等离子刻蚀分离p—n结，背腐蚀使用HF-HNO3。溶液以及一些添加剂，避免了使用有毒性的CF4 气体，背腐蚀太阳电池的背面更平整，其背面反射率优于刻边，背腐蚀太阳电池能更有效地利用长波增加ISC。铝背场比刻边的更均匀，可以提高IQE，??而提高了太阳电池的VOC。;一、刻蚀槽;刻蚀槽液面;刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理;刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理;刻蚀槽前后硅片状态比较;刻蚀槽影响刻蚀效果的因素;Rinse 1;Alkaline rinse;碱槽溶液流向图（槽截面）;Rinse 2;HF bath;氢氟酸槽溶液流向图（槽截面）;Rinse 3;Dryer 2