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PIN PD 芯片知识 培训内容 PD芯片基本理论 PD 芯片设计说明 PD芯片工艺流程 PD芯片参数及测试 PD芯片检验 结束语 6.1PD的工作原理 平衡状态下的PN结：P型N型半导体交界面将发生载流子的扩散运动。达到平衡时形成空间电荷区，形成内建电场Ei以及接触势垒Vd，Vd Ei的存在阻止了多数载流子向对方扩散，达到了动态平衡。 6.2光照时节 当光波照射到PN结上，光子就会产生电子空穴时，光生载流子的运动同样在结区形或电场Ei，和电压Vp，而Vp和Ep的方向和极性正好与Vd和Ei相反起削弱电场Vd和Ei的作用，当外界光照是稳定的将PN结西端用导线连接，串入电流计就能读出光电流Ip. 6.3外加电时 反向偏置的P—N结。 零偏下的PN结，当以适当的能量光照射PN结。使光生电场E=Ei-Ep=0即Ei已被削减为零。耗尽区不存在。这时光生载流子虽仍在P-N中产生。但无电场引导和加速。在杂乱的扩散过程中，大部份光生空穴和光生电子相继复合而消失。不能形成外部电流。 A、零偏置有大弊端 ①器件的响应率很差且很易饱和 ②依靠扩散动动形成的光电流响应速度很慢 B、 PN结上加反向偏置电压 势垒Vd+V高度增加，耗尽区宽度W加宽。响应率和响应速度都可以得到提高。 7、PIN光电二极管 PN结器件：结构简单；暗电流降低困难，无法提高响应率；稳定性差 PIN器件： 当器件处于反偏置状态时电源在PN结中形成电场E与内建电场Ei同方向，合成结电场 Ej=E+Ei使耗尽区W显著地展宽，再加本征i层具有极高的电阻值，已接近绝缘体，耗尽区在整个i区内延伸。给器件带来三个优点。 A、I区较P区厚，入射光能在较宽的范围内激发出载流子，因而提高了器件的响应率。 B、 整个I区较有电场，光生载流子获得较扩散速度快得多的漂移速度奔向电极形成外部电流，因响应度提高了。 C、耗尽区拉宽，使结电容减小，有利于高频响应。 4. 工艺设计 4．1 基片材料设计 衬底晶向设计为（100）。 （100）晶面的界面态密度最小，而且与其它晶向相比，便于划片或解理，因此 可避免由此给管芯带来的晶格损伤。 设计的衬底掺杂元素为（S）。 硫有明显抑制位错的作用，在相同的掺杂浓度下，位错密度可低0.5～1个数量级。 要求衬底位错密度越低越好。但鉴于国内目前n—InP位错密度的最好水平就是5×103cm?2。因此设计此参数。 厚度：340?10?m； 表面：无波纹，无腐蚀坑，表面平整、光亮。 1.3 PD芯片工艺路线 2.3.1高温存贮： 温度：+125℃ 时间：96hr 气氛：充N2保护 2.3.2电老化:11111111111111111 温度： ±175℃ 时间：16 hr 偏置：-10V 气氛：N2 * * 1、什么是PD芯片？ PD——Photo Devices 光电探测器 Photo Dioder 光电二极管 2、为什么要做PD芯片？ 光纤通信均采用光谱很窄的单色光源，要求所采用的检测器具有波长选择性，因此系统的检测器都采用光子器件。 3、PD所探测的波长 λ=1.3μm λ=1.55μm 4、PD图示方法 P N ? SiNx Cr-Au Zn扩散 SiNx n--InP顶层 n--InGaAs吸收层 n+-InP缓冲层 n+-InP衬底 Au Φ300μm 1．前言 随着光电子技术的高速发展，对光电探测器的可靠性提出了越来越高的要求。器件是否能长期稳定可靠地工作，成为光电探测器件的设计、制造所要解决的关键问题之一。 2. 芯片结构设计 图1．Φ300μm芯片结构图 ≤1×1016/cm30.8～1μm 0.9-1 15×1015/cm3 2.0～2.5μm ≥1×1018/cm3 350μm hυ Cr/Au In0.53GaAs0.47 n- InP n InP(sub) n+ 图1 Φ55μm芯片结构图 InP P 2．1 采用原子面密度最小的（100）——InP做衬底，以降低界面态；采用掺硫衬底，因为硫在InP中有明显的抑制做用。 2．2 在衬底与吸收层之间生长的非掺杂InP缓冲层,以阻挡外延生长过程中衬底硫反扩散对有源层造成的污染,并实现衬底与吸收层之间的晶体过度,减少晶体缺陷。 2.3 在窄带隙In0.53Ga0.47As（Eg?0.4