第5章 半导体三极管和场效应管.pptVIP

第5章 半导体三极管和场效应管及其应用 温度对三极管参数的影响 （1）对β的影响： 三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。 （2）对反向饱和电流ICEO的影响： ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。 （3）对发射结电压ube的影响： 和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。 使用中应采取相应的措施克服温度的影响。 例题 5.2 共射极电压放大器 5.2.1 电路的组成 １、三极管T的作用：用于电流放大。 3、Rc作为集电极负载电阻，并将集电极电流的变化转换为电压变化输出。 4、基极电源VBB和基极电阻Rb：使三极管发射结正偏。 2、Vcc为集电极回路电源，为输出信号提供能量，使三极管集电结反偏。 ５、隔直、耦合电容Cb1,Cb2:隔直通交，隔离信号源和负载对三极管的静态偏置的影响，并让交流信号顺利通过。 共射极基本放大电路的工作过程 重要概念： 静态工作点 交直流共存 信号传输过程 放大的实质 共射极放大电路的简化 5.2.2