第三章01_PPT.pptVIP

武汉大学电气工程学院 主要内容 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.6 重点与总结 主要内容 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.6 重点与总结 主要内容 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.6 重点与总结 主要内容 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.6 重点与总结 主要内容 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.6 重点与总结 主要内容 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.6 重点与总结 3.6 重点与总结 PN结V-I特性，形成原理。 二极管的V-I特性，主要参数。 二极管的建模。 含有二极管的电路的求解方法。 稳压二极管的分析和电路求解方法。 作业 对本次讲课的意见。 习题：3.4.2 3.4.3 3.4.9 3.4.10 3.5.3 3.5.4 2. 发光二极管 符号 光电传输系统 3. 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 3.3.2 二极管的伏安特性 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR和反向恢复电流IRM (4) 正向压降VF (5) 极间电容CJ（CB、 CD ） 3.3.3 二极管的主要参数 1N4001-1N4007 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4 二极管基本电路及其分析方法 VBE 、IB –(大写符号，大写下标)表示直流值。vbe 、ib –(小写符号，小写下标)表示交流值。vBE 、iB – (小写符号，大写下标)表示交直流量之和。Vbe 、Ib –(大写符号，小写下标)表示交流有效值。 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 例:电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 （2）恒压降模型 （a）V-I 特性 （b）电路模型 （3）折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 常温下（T=300K） 则 （a）V-I特性 （b）电路模型 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 （a）V-I特性 （b）电路模型 2．模型分析法应用举例 （1）整流电路 （a）电路图 （b）vs和vo的波形 一般利用假设法分析 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型