9.二极管、三极管、MOS管培训-wly.pptVIP

课程目的: 1.了解公司对器件的降额要求 2.学会降额计算及填写降额表 3.了解器件主要特性,学会比较器件 4.了解公司选型原则及推荐厂家 目录: 一、二极管 二、三极管 三、MOSFET 在I 区中，针对某项应力（如电压）来说，存在某一点（区域） ，在该点（区域）上器件所承受的此项应力最大，我们将此点的情况称为该项应力的最坏情况，同时我们将该状态定义为该项应力的状态I 。 工作在I 区 的电源满足如下条件： （a）按操作手册或目录安装。 （b）在输出额定电压变化范围内，输出功率在额定最小值到最大值间。 （c）输入在规定的电压和频率范围内。 （d）对环境条件而言，温度和湿度将在额定最大值以内。 状态Ⅱ： 如图中阴影之外的部分均表示电源工作在II 区，例如输入欠压、OCP过流保护、OVP过压保护等情况。同样在II 区中，针对某项应力来说，器件可能遭受到的最坏情况我们称为状态II 。 由于电源工作在II 区的时间一般来说很短，因此在此情况下器件的降额百分比不如 I 区 严格。但必须注意，实际情况中II 区的器件应力往往比I 区大得多，如果实际设计时疏忽了此状态的降额很有可能导致损坏（例如在开机、输出短路等情况下的损坏，等等）。 状态II代表器件在II 区最恶劣的情况，在实际的测试过程中这种最恶劣的状况（真正的状态II）往往需要我们耐心寻找才能找到。 另：对不同规格的产品，其具体允许的降额有可能不同，对此情况在后面的降额规定中均以 * 进行标注。但必须注意其使用值均不得超过器件本身的最大允许值。 1.2.3 附录 不同产品等级下的设计规格 第一节 二极管（整流管/桥、 肖特基、 快恢复、开关管） 降额考核点： 电压，电流，结温，浪涌 1. 电压 降额 2 电流 2.1 降额 在相应的温度下，电流应满足如下降额 2.2 定义 二极管的电流IFAV 是在一定壳温、引线温度或环境温度，50%占空比的方波下测试出的。其温度的定义，与三极管或MOS（标准温度25℃）有很大不同, ， 具有不同的温度，各厂家不统一。有50℃、70℃、90℃、110℃、135℃、甚至有160℃。这表示在其定义的温度下应用时，其电流导通能力不变化。 并且温度越高，其实际的电流能力越强，如右图。 2.4 测量与计算 2.4.1 温度测试 计算电流降额首先应测试二极管的工作温度Ta或TC， 在Ⅰ、Ⅱ状态达到热平衡时，分别用点温计测量二极管的壳温TC或环境温度Ta，以便用来计算电流降额和结温降额。测试TC还是Ta，应按以下要求： ①.对带散热片的二极管，应测试其壳温。即二极管散热片与外加绝缘片界面处(对绝缘封装的三极管则是与散热器界面处)的最高温度，理论上的测量点在散热片正中（有孔的部分除外）。实际操作上此点不易测量，可考虑在散热器上打一小孔，灌满导热硅脂或导热胶(对贴片二极管，测量露出的散热片部分即可。对实在无法打孔的散热器，可测量管壳边缘与绝缘膜交界处的温度，但这样测试误差很大，尽量不用。)，然后用单点点温计分别在Ⅰ、Ⅱ状态测量其温度值，即为壳温 ，假设测量值为TCU 。 另外的方法是测试绝缘膜下紧靠二极管出散热器的温度，如为Ti ,绝缘膜的热阻可查出，如为Rthi ,二极管消耗的功率为P，则二极管实际的壳温TCu为： TCu＝Ti+P*Rthi ②.不带散热片封装的二极管 对引线封装或不带散热片封装的贴片器件，只测量其环境温度TA即可。方法是将测温探头粘在器件塑壳上，分别在Ⅰ、Ⅱ 状态测量其温度值，即为环境温度，假定测量值为TAU (根据实际情况定义的可操作的量，不是标准定义)。 对控制电路用的小信号二极管特别是贴片二极管(无散热片)，可以不用逐个测量其环境温度。可根据器件分布，划分出区域，每个区域测量一个最热点温度即可。 7 优选厂家 ★大功率二极管选用APT、IR、INTERSIL、ST。 ★中功率二极管选用ON、IR、ST、FSC。 ★小功率二极管选用ON、GS、VISHAY、ST。 ★小信号二极管选用ON，INFENION，FSC，PHILIPS，乐山无线电只可作为第二厂家上网，因其特点是品种少量大。 日本厂家二极管不通用（如表面贴器件），不好替代，并且在采购困难时，其优先保证的是本国厂家，对华为支持有限，不推荐选用。 第二节 三极管（TRANSISTOR） 降额考核点：电压，电流，结温，安全工作区 1 耐压 1