模拟电路 二极管.pdf

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半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 本征半导体及其导电性 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 半导体的温度特性 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导 体、绝缘体和半导体。 -3 9 半导体的电阻率为10 ~10 Ω⋅cm 。典型的半导 体有硅Si和锗Ge 以及砷化镓GaAs等。 1.1.1 本征半导体及其导电性 (1)本征半导体的共价键结构 (2)电子空穴对 (3)空穴的移动 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到 99.9999999%,常称为“九个9 ”。 它在物理结构上呈单晶体形态。 (1)本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素,在原子最外层轨道上的 四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原 子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这 些原子所共有,并为它们所束缚,在空间形成排 列有序的晶体。 这种结构的立体和平面示意图见图01.01 。 (c) (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 图01.01 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 (2 )电子空穴对 当导体处于热力学温度0K 时,导体中没 有自由电子。当温度升高或受到光的照射 时,价电子能量增高,有的价电子可以挣 脱原子核的束缚,而参与导电,成为 自由 电子。 这一现象称为本征激发,也称热激发。 自由电子产生的同时,在其原来的共价 键中就出现了一个空位,原子的电中性被破 坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电 量相等,人们常称呈现正电性的这个空位为 空穴。 图01.02 本征激发和复合的过程 (动画1-1) 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时 成对出现的,称为电子空穴对。游离的部分自由电 子也可能回到空穴中去,称为复合,如图01.02所 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 示。 (3) 空穴的移动 自由电子的定向运 动形成了电子电流, 空穴的定向运动也可 形成空穴电流,它们 的方向相反。只不过 空穴的运动是靠相邻 共价键中的价电子依 次充填空穴来实现的 。见图01.03的动画演 图01.03 空穴在晶格中的移动 示。 (动画1-2) 1.1.2 杂质半导体 (1) N型半导体 (2) P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂 质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入 的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本 征半导体称为杂质半导体。 (1)N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素,例如磷,可形 成 N型半导体,也称电子型半导体。 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半 导体原子中的价电子形成共价键,而多余的一个价电子 因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 图01.04 N型半导体结构示意图 在N型半导体中 自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供;空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导 体的结构示意图如图01.04所示。 (2) P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓、铟等 形成了P型半导体,也称为空穴型半导体。

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