稳压二极管和TVS管和快恢复二极管介绍.docVIP

稳压二极管(Zener Diod 齐纳二极管) A原理:它工作在电压反向击穿状态,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定 B分类 从稳压高低分:低压稳压二极管(40V); 高压稳压二极管(200V) 从材料分:N型;P型 C.主要参数 ①稳定电压VZ:在规定的稳压管,反向工作电流IZ下,所对应的反向工作电压。 ②稳定电流IE ③动态电阻rZ ； ④最大耗散功率 PZM ⑤最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin ⑥温度系数at,温度越高,稳压误差越大 D.用途 ①对漏极和源极进行钳位保护 D.硅稳压二极管稳压电路 它是利用稳压二极管的反向击穿特性稳压的,由于反向特性陡直,较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。 图1: 硅稳压二极管稳压电路 1.输入电压VE增加如何稳压 若限流电阻电压不变,由于 VE=VR (不变)+ VZ ,VE增加必然引起VZ增加, VZ增加使IZ增加,要使输出电流不变,IR= IZ↑+IL (不变),IR增加,由于VR=IR ×R1,R1不变, VR必然的增加, 由于 VE=VR↑+ VZ,使电压VZ 增加减小,又VZ= VO,从而使输出电压VO增加减小。 稳压过程可概括如下: VE↑→VZ↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓ 这里VO减小应理解为,由于输入电压VE的增加,在稳压二极管的调节下,使VO的增加没有那么大而已。VO还是要增加一点的,这是一个有差调节系统。 2.当负载电流变化时如何稳压 负载电流IL的增加,由于IR= IZ(不变)+IL,必然引起IR的增加,VR=IR ×R1,即VR增加, 又VE(不变)=VR↑+VZ,从而使VZ=VO减小,IZ减小,要使负载电流不变 IR= IZ+IL (不变) IZ的减小必然使IR减小, VR减小,从而使输出电压VO增加, 使VO的减小没有那么大而已。 稳压过程可概括如下: IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（VO↓）→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑  瞬态抑制二极管简称TVS (Transient Voltage Suppressor) 1.特点:在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。 反映速度快(为pS级), 体积小，箝位电压低，可靠性高双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。 2.分类: 按极性分为单极性和双极性两种 3. 符号: Symbol 4.二极管的特性图表 5.二极管的抑制瞬态电压的例图和单向保护图形 图一：抑制瞬态电压的例图 图二：单项保护图例 6.TVS 的主要参数 ① VBR :Reverse Breakdown Voltage (反向崩溃电压即击穿电压) 定义: 当TVS 流过规定的1mA 电流（ IR ）时,测德TVS 两极间的电压VBR 是TVS 最小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS 是不导通的, 当瞬态电压超过VBR ,瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平, 提供瞬态电流一个超低电阻通路,让瞬态电流透过瞬态电压抑制二极管被引开, 避开被保 护元件。 ② IR: Reverse Leakage Current (反向漏电电流) ? 当最大反向工作电压施加到TVS上时,TVS管有一个漏电流IR,一般都会有10-100μA的反向漏电电流。当TVS用于高阻抗电路时,这个漏电流是一个重要的参数。 ③ VRWM: 最大反向工作电压 (Reverse Stand-off Voltage:可承受的反向电压) 是器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值。 此时二极管为不导通之状态，通常VRWM=（0.8~0.9）VBR。 使用时,应使VRWM不低于被保护器件或线路的正常工作电压。④ VC(max ):最大箝位电压(TVS diode Clamping Voltage :抑制电压) 在脉冲峰值电流Ipp 作用下,器件两端的最大电压值称为最大箝位电压。 使用时,应使VC(max )不高于被保护器件的最大允许安全电压。 最大箝位电压与击穿电压之比称为箝为系数。 即:箝位系数=VC(max )/VBR 一般箝位系数为1.3左右。⑤ Cj:TVS diodeJunction Capacitance (瞬态二极管的电容值) TVS的电容由硅片的面积和偏置电压来决定,电容在零偏情况下,随偏置电压的增加,该电容值呈下降趋势。电容的大小会影响TVS器件的响应时间。 瞬态电压抑制二极管的电容值越大对电路的干扰越大, 形成噪音越大或衰减讯号强度越大, 对于数据/讯号频率