电力电子器件及驱动和保护绪论.ppt

* 2.7.4 Specification of IGBT ——正常工作温度下允许的最大功耗 。 最大集电极功耗PCM ——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 最大集电极电流 ——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。 最大集射极间电压UCES * 2.8 其它新型电力电子器件 静电感应晶体管SIT 静电感应晶闸管SITH 集成门极换流晶闸管IGCT 电子注入增强栅晶体管IEGT 功率模块与功率集成电路 * Static induction transistor---SIT 结型场效应晶体管---70年代诞生 多子导电，频率与MOSFET相当，甚至更高，容量更大，适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号导通，加负偏压关断，为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，还未得到广泛应用。 * Static induction thyristor---SITH 诞生于1972年； SITH是双极型器件，有电导调制效应，通态压降低、通流能力强； 特性与GTO类似，开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件； ?一般是正常导通型，也有正常关断型； 电流关断增益较小，应用范围还有待拓展。 * Integrated gate-commutated thyristor 2