07半导体二极管与其应用电路.pptVIP

下 篇 电 子 技 术;第7章 半导体二极管及其应用; 本章基本要求： 1. 了解半导体的结构，掌握杂质半导体的基本特性，理解PN结的单向导电性； 2.掌握半导体二极管的导通、截止条件，伏安特性和主要参数； 3.熟悉稳压管的稳压原理和应用电路； 4.了解特殊二极管的基本性能特点，熟悉二极管的应用电路。 ;7.1 半导体的基本特性 7.2 半导体二极管 7.3 二极管应用电路;本章重点：;引 言; 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用比较简便的分析方法获得满足工程要求并具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、数值有误差、工程上允许一定的误差，可以采用合理估算的方法。;有关概念：;晶体：半导体的原子排列具有整齐的点阵晶格结构, 又称为晶体。; 在半导体材料中, 用得最多的是硅和锗,它们的最外层电子（价电子）都有四个电子, 称为四价元素。相邻原子之间的结合是共价键结构 .; 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。; 半导体中的电流：当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流;经过实验证明在本征半导体中用扩散方法掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。这种半导体称为杂质半导体。;1）N型半导体;N型半导体结构;2）P型半导体;P型半导体结构;3）杂质半导体的示意表示法; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;1. PN 结的形成;2）PN结内载流子的运动;内电场越强，漂移运动越强，漂移使空间电荷区变薄。;漂移运动;2. PN结的单向导电性;内电场加强，使扩散停止， 有少量飘移，反向电流很小;(a) 点接触型;P;7.2.2 伏安特性和主要参数;1. 二极管的伏安特性;常用电路及理想特性;1）最大整流电流 IOM;7.2.3 特殊二极管;（2） 主要参数;2. 发光二极管;符号; 光电二极管在反向电压作用下工作。当无光照时, 和普通二极管一样, 其反向电流很小, 称为暗电流。 当有光照时, 产生的反向电流称为光电流。;4. 变容二极管;定性分析：判断二极管的工作状态;7.3.1 无触点开关电路;ui 8V，二极管导通， 可看作短路 uo = 8V; ui 8V，二极管截止， 可看作开路 uo = ui。;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位;例5：ui如图所示，已知RC??tp，试作uR，u。的波形;例4: 理想二极管: 死区电压为0 , 正向压降为0 , 输入电压ui波形如图所示, 试作出uo的波形。;例：稳压二极管稳压电路;UZW=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) ;第 7 章