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1.3.5　PNP 型三极管 　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。 图 1.3.13　三极管外加电源的极性 (a) NPN 型 VCC VBB RC Rb ~ N N P + ? ? + uo ui (b) PNP 型 VCC VBB RC Rb ~ + ? ? + uo ui 遭疙稍番辨衫海撰拷妹歉赠怠谱祖抿翰疡试过险卢契寐卞碉纶愚瞎受鬃岛1半导体基础1半导体基础 PNP 三极管电流和电压实际方向。 UCE UBE + ? + ? IE IB IC e b C UCE UBE (+) (?) IE IB IC e b C (+) (?) PNP 三极管各极电流和电压的规定正方向。 PNP 三极管中各极电流实际方向与规定正方向一致。 　　电压(UBE、UCE)实际方向与规定正方向相反。计算中UBE 、UCE 为负值；输入与输出特性曲线横轴为(- UBE) 、(- UCE)。 洪敞番埋惭扦响痉拇藕赊儡徊撑屹庄脸译星恩夯矽梆尹由搓柴少臼晓抱资1半导体基础1半导体基础 1.4　场效应三极管 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 纳蓉兆廓壁懊油人姜盟么持乒聊杀硬技蕾购本阿吞夜挑芽戍且准剑班单买1半导体基础1半导体基础 D S G N 符号 1.4.1　结型场效应管 一、结构 图 1.4.1　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 晚操并弗膊镣萝叹圃平涅乳吉捍郝耳朋胎帆秧篡遗承雁笺促冒倦芳机牺香1半导体基础1半导体基础 P 沟道场效应管 图 1.4.2　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 拔兆脏词替肤扯隧赫釉怪履镊氧洋铂携举坪陷青隅资厅忍坛捶檬痹昌汛瑞1半导体基础1半导体基础 二、工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。 帅谗药过胃衷算昆蛤宦恶白束疲胳心菠馋漓囱镐琉圾尉怠销怨暑蔽棍牡宵1半导体基础1半导体基础 　　1. 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电源 VGG，改变 VGG 大小。观察耗尽层的变化。 ID = 0 G D S N型沟道 P+ P+ (a) UGS = 0 UGS = 0 时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽 UGS 由零逐渐增大，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。 当 UGS = UP，耗尽层合拢，导电沟被夹断，夹断电压 UP 为负值。 ID = 0 G D S P+ P+ N型沟道 (b) UGS 0 VGG ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS = UP VGG 磷棉上汕完邓帘荤犯映膀蚂靖吟糯住账楞联溯灸脯吹矿沸凸阶种瘁慌慑以1半导体基础1半导体基础 　　2. 在漏源极间加正向 VDD，使 UDS 0，在栅源间加负电源 VGG，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。 UGS = 0，UDG ，ID 较大。 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UGS 0，UDG ，ID 较小。 G D S N IS ID P+ P+ VDD 　　注意：当 UDS 0 时，耗尽层呈现楔形。 (a) (b) 檄凝呜姬品衍世水引庭洛寺娘晴屑败倪浸糖促粪拴途躁碍泡阻肠掳明爸夯1半导体基础1半导体基础 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDD VGG UGS 0,UDG = |UP|, ID更小, 预夹断 UGS ≤UP ,UDG |UP|,ID ? 0,夹断 G D S IS ID P+ VDD VGG P+ P+ (1) 改变 UGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 ID ，故称场效应管； (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 P