2.1.4 半导体导电性能.pptVIP

2.1.4 半导体材料导电特性 ;;空穴下面能级上的电子可以跃迁到空穴上来,这相当于空穴向下跃迁。满带上带正电的空穴向下跃迁也是形成电流, 这称为空穴导电。 ;半导体的导电 导带的电子导电和价带的空穴导电共同作用的结果; 本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。（没有杂质和缺陷的半导体）。; 本征晶体中各原子之间靠得很近，如硅晶中，面心立方结构，每个原子分别与周围的四个原子形成四面体，原子之间的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。;共价键性质; 一分为二 载流子的产生 复 合 合二为一 ;;;;;;;;; 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。;（1）四价的本征半导体 Si、Ｇｅ等，掺入少量五价的杂质元素（如P、As等），出现若束缚电子。;（3）掺施主的半导体的导带电子数主要有施主数决定，半导体导电的载流子主要是电子。 ;;（1）四价的本征半导体Si、Ｇe等，掺入少量三价的杂质元素（如Ｂ、Ga、Ｉn等）。在掺杂原子周围，就缺一个电子，可以看作微弱结合的空穴。; p型半导体中 空穴……多数载流子 电子……少数载流子 ;;;;;;N型半导体不同温度下载流子的浓度变化;;;;;(4)过渡区： 温度升高，施主杂质完全电离，同时本征激发不可忽视;;;;四 半导体中载流子的运动——漂移和扩散;漂移速度：;ND;1. 电离杂质的散射;2. 晶格振动的散射 ;3. 其它因素引起的散射;五.半导体的电学性质;1/T;T