第10章_铸造多晶硅.ppt

第十章 铸造多晶硅掺葵善瀑蝴码;直到20 世纪90年代，太阳能;自20世纪80年代铸造多晶硅发;直拉单晶硅为圆片状，而硅片制备;①铸造多晶硅是利用浇铸或定向凝;铸造多晶硅具有晶界、高密度的位;10.1 概述10.2 铸;10.1 概述 ;与直拉单晶硅相比，铸造多晶硅的;铸造多晶硅和直拉单晶硅的比较见;自从铸造多晶硅发明以后，技术不;实验室中的效率从1976年的1;由于铸造多晶硅的优势，世界各发;10.2 铸造多晶硅的制备工;在一个坩埚内将硅原料溶化，然后;直接熔融定向凝固法，简称直熔法;前一种技术国际上已很少使用，而;直熔法生长的铸造多晶硅的质量较;图10.2的上部为预热坩埚，下;由图可知，硅原材料首先在坩埚中;图10.4 直熔法制备铸造多;在直熔法中，石英坩埚是逐渐向下;在浇铸法中，是控制加热区的加热;铸造多晶硅制备完成后，是一个方;目前，铸造多晶硅的重量可以达到;①多晶硅晶锭的加工过程，目前使;通常高质量的铸造多晶硅应该没有;在晶锭制备完成以后，切成面积为;切完方柱体后，利用线切割机切成;利用定向凝固技术生长的铸造多晶;其原理是利用电磁感应的冷坩埚来;①这种技术熔化和凝固可以在不同;图6.9所示为电磁感应冷坩埚连;由上述可知，该技术需要进一步改;10.3 铸造多晶硅的晶体生;与直拉、区熔晶体硅生长方法相比;10.3.2 坩埚 ;①在制备铸造多晶硅时，原材料熔;工艺上一般利用Si3N4或Si;10.3.3 晶体生长工艺直;10.3.3.1 装料 ;利用石墨加热器给炉体加热，首先;通入氩气作为保护气，使炉内压力;硅原料熔化结束后，降低加热功率;晶体生长完成后，由于晶体底部和;晶锭在炉内退火后，关闭加热功率;对于重量为250-300Kg的;图6.10所示为制备240Kg;多晶硅太阳电池制备流程赤瓷猎帛;6.3.4 晶体生长的影响因;这样制备出来的多晶硅的晶粒大小;①尽量均匀的固液界面温度；②尽;晶体凝固时，一般自坩埚的底部开;为了解决上述问题，需要特殊的热;图6.11所示为不同热场情况下;如图6.11（a）所示，晶体在;如图6.11（d）所示，几乎所;在晶体凝固过程中，晶体的中部和;影响温度梯度的因素，除了热场本;在生产过程中，既要保持一定晶体;对于铸造多晶硅而言，晶粒越大越;晶粒的大小还与其处于的位置有关;图6.12所示为晶粒的平均面积;晶粒的大小也与晶体的冷却速率有;再者，由于坩埚壁也与硅熔体接触;一般而言，在铸造多晶硅中晶锭的;10.3.5 晶体掺杂 ;对于p型掺硼铸造多晶硅，电阻率;由于硼在硅中额分凝系数为0.8;掺镓的p型铸造多晶硅虽然可以制;掺磷的n型多晶硅也是一样，磷在