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2 半导体二极管及其基本电路;2.1 半导体的基本知识; 2.1.1 半导体材料;半导体的特点; 2.1.2 半导体的共价键结构; 2.1.3 本征半导体;空穴——共价键中的空位。; 在本征半导体中，空穴和自由电子总是成对出现的，即电子和空穴的数量相等。; 2.1.4 杂质半导体; 1. P型半导体; 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。; 2. N型半导体; 在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。; 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下:; 2.2.1 PN结的形成; 在P型半导体和N型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别，N型区内电子很多而空穴很少，P型区内则相反，空穴很多而电子很少。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。;2、空间电荷区形成; 在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电在区中就形成了一个电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。由于这个电场是由载流子扩散运动即由内部形成的，而不是外加电压形成的，因此称为内电场。显然，这个内电场的方向是阻止扩散的，因为这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反。;4、扩散与漂移运动的动态平衡;PN结形成的动画;2.2.2 PN结的单向导电性;在外加电场作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，当P区空穴进入PN结后，就要和原来的一部分负离子中和，使P区的空间电荷量减少。同样，当N区电子进入PN结时，中和了部分正离子，使N区的空间电荷量减少，结果使PN结变窄。即耗尽区厚变薄，这时耗尽区中载流子增加，因而电阻减小，所以这个方向的外加电压称为正向电压或正向偏置电压。 ;剥泪夏奔条匙八疚僵茵积帜秸宏噬毛鉴页欺贪侨贯激百柿哮阔垄哎降捶苫2 半导体和二极管2 半导体和二极管;正向特点：;当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 ;滩被劳逮教玻沧纯适斤草萨腐墟行廓苯也攻毛川且偷诞慌怪暗抹谦哺擅额2 半导体和二极管2 半导体和二极管;在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；; (3) PN结V- I 特性表达式;上式可解释如下： （1）当二极管的PN结两端加正向电压时，电压VD为正值，当VD比VT大几倍时，式中的 ???? 远大于1。这样，二极管的电流iD与电压VD成指数关系，如上图中的正向电压部分。 （2）当二极管加反向电压时，VD为负值。若|VD|比VT大几倍时，指数项趋近于零。因此iD=–Is，如上图中的反向电压部分所示。可见反向饱和电流Is是个常数，不随外加反向电压的大小而变动。 ; 2.2.3 PN结的反向击穿; 2.2.4 PN结的电容效应; 2.2.4 PN结的电容效应; ???????????????????;2.3 半导体二极管; ???????????????????????????????????????????????????????????????????????????;2.3.2 二极管的V—I特性;1、正向特性;2、反向特性;3、反向击穿特性;2.3.3 二极管的参数; 2.4.1 二极管V- I 特性的建模;;; 4. 小信号模型;2.5.1 稳压二极管;(1) 稳定电压VZ;2.5.1 稳压二极管; 二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的二极管称为变容二极管。 ; 光电二极管的结构与PN结二极管类似，但在它的PN结处，通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。; 发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等所制成的。当这种管子通以电流时将发出光来，这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。; 激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。