半导体器件和工艺.pptVIP

半导体器件与工艺2004年8月;;半导体器件方面的课程内容;半导体器件方面的课程内容(续); 半导体及其 基本特性;固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1;;;1. 半导体的结构;半导体的结合和晶体结构;;;;半导体的掺杂;施主和受主浓度：ND、NA;;;;;;;;;半导体中的能带;半导体的能带;价带：被电子填充的能量最高的能带，价电子填充 能量最高 价带以上能带基本为空 导带： 未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;;杂质能级：杂质可以使电子在其周围运动形成量子态;n型半导体：主要电子导电，有少量空穴 P型半导体：主要空穴导电，有少量电子 多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子;本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关; 非本征半导体的载流子;电中性条件: 正负电荷之和为0;n型半导体：电子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半导体：空穴 p ? Na 电子 n ? ni2/Na;非平衡载流子;费米能级;载流子的统计分布函数;载流子的输运;载流子的输运;;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子。载流子运动状态的变化是外力和晶体势场共同作用的结果 有效质量与半导体材料有关;平均弛豫时间;扩散电流;过剩载流子的扩散和复合;描述半导体器件工作的基本方程;方程的形式1; 电流连续方程 ; 电流密度方程 ;爱因斯坦关系;PN结的结构;;; PN结的形成;平衡的PN结：没有外加偏压; ;