电路分析和电子电路部分习题.docVIP

一、填空 1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。 a20vＲ＝１ＫΩＶＤ10vb10v a 20v Ｒ＝１ＫΩ ＶＤ 10v b 10v Ｒ＝１ＫΩ ＶＤ 20v 3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于 放大 工作状态。 4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ，衡量其温度稳定性的参数是__ICBO ___。 5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_ uds＞UGS（OFF）__，它的截止条件为__ uGs≤UGS（OFF）__。 6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻RL=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为 78.5%_。 7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。 8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是 抑制0点漂移 。 ９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。 10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。 11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。 11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入　五 价的微量元素而形成的，多数载流子是　自由电子，少数载流子是　空穴　。 12.半导体PN结具有 单相导电性 特性。 13.在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V， 14.晶体三极管基本放大电路有 共射极 、共集电极 和 共基极 三种组态。 15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。 16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入 电压 负反馈；若要稳定输出电流，应引入 电流 负反馈；若要增加输入电阻，应引入 串联 负反馈。 17.设某开环放大电路中，在输入信号电压为1mv时，输出电压为1v；当引入负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mv。由此可知所加的反馈深度为 10，反馈系数为0.009。 18.直流稳压电源由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波电路 和 稳压电路 四部分组成。 19、BJT属于 电流 控制电流型器件，对应的FET是属于 电压 控制电流型器件。 20、在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的__ 差__；共模输入信号等于两个输入信号的_算术平均值 。 选择 1.半导体中的少数载流子产生的原因是[ C ] A.外电场 B.内电场 C.热激发 D.掺杂 2．PN结加正向电压时，耗尽层[ B ] A．变宽 B．变窄 C. 不变 D．以上三种情况均有可能 3．温度升高后，二极管的反向电流将[ B ] A．减小 B．增大 C. 不变 D．锗二极管减小，硅二极管增加 4.某晶体管iB从20μA变到40μA时，对应iC从1.55mA变到3.05mA,则该管的β[ A ]. A. β=75 B. β=50 C. β=100 D. β=77.5 5.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于[ D ]A.发射结反编、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结正偏 D. 发射结正偏、集电结反偏 6．在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真时[ B ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 7.场效应管本质上是一个[ B ]A.电流控制电流源器件 B.电压控制电流源器件C.电流控制电压源器件 D.电压控制电压源器件 8.以下属于电压跟随器的电路有[ B ] A．共射极电路 B．共集电极电路 C．共基极电路 D.共栅极电路 9.放大电路在小信号运用时动态特性如放大倍数、输入电阻、输出