第12讲 半导体三极管和场效应管.pptVIP

9.2 半导体器件（2）;四、半导体三极管;很薄且掺杂浓度最低;牛珐器瑰射叭帮证诽轿诸刽枪蒙祖肉魄悸硒噶馏忧抿起腥术妖输匣木另万第12讲 半导体三极管和场效应管第12讲 半导体三极管和场效应管;2、电流放大原理;2)各极电流关系及电流放大作用;3)三极管内部载流子的运动规律;　发射极是输入回路和输出回路的公共端 ;1)输入特性;2)输出特性;IB=0;4、主要参数;2)集-基极反向饱和电流 ICBO;4)集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;工作在放大状态，利用IB对IC的控制作用。 ;7、三极管型号的含义;8、常见三极管的外形结构;1、器件特点：;2、 结构与符号;4、转移特性和输出特性;1)、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semicoductor— FET);②转移特性曲线;③输出特性曲线;2)耗尽型 N 沟道 MOSFET;输出特性;6、场效应管的主要参数;UGS(th);4)低频跨导 gm ;1.器件的类型;2.主要特点;4.不同类型 FET 转移特性比较