第6章 晶体管与基本放大电路.pptVIP

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  • 2017-07-23 发布于河南
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第6章 晶体管与基本放大电路

第6章 晶体管及放大电路;6.1 半导体晶体管 ;一. 基本结构与分类;1)按材料分 2)按结构分 3)按频率分 4)按功率分; 放大器一般为4端网络,根据公共端的不同,晶体管有三种连接方式;(一)三个区的特点 1) 发射区是掺杂质比集电区掺杂多的 N型半导体,电子浓度很大; 2) 基区很薄,为掺杂质很少的 P 型半导体。 3) 集电极面积大,保证尽可能收集到发射区发射的电子。;晶体管共射极接法的放大电路图;1. 载流子运动规律;2. 电流关系;1. 输入特性曲线 集一射极电压 UCE 为常数时,输入电路(基极电路)中基极电流 IB 与基—射极电压UBE 之间的关系曲线,即 IB=f (UBE)| U CE=常数;2. 输出特性曲线;3DG6的输入特性;a) 静态电阻 动态电阻 rceRCE; 1.电流放大系数 1)共射极直流电流放大系数β 在静态(无输入信号)时 称为共射极直流放大系数。 2)交流电流放大系数β 集电极电流的变化量△IC 与基极电流的变化量△IB 的比值。 在放大区工作时,常有 β≈ β; 2 . 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC 超过一定值时,晶体管的β值要下降。当β 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流 IC ,称为集电极最大允许电流 ICM 。 3.

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