模拟电路 第四版.pptVIP

模拟电子技术基础;第一章 常用半导体器件;; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;1.1.2 本征半导体;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，称为复合；但在一定的温度下,激发产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，称为动态平衡。;1.1.3 杂质半导体;一、N 型半导体;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;一. PN 结的形成;P型半导体;－;1、空间电荷区中没有载流子。;1、PN 结正向偏置;2、PN 结反向偏置;3、PN 结的电流方程;4、PN 结的伏安特性;§1.2 半导体二极管;1.2.2 二极管的伏安特性;1.2.3 二极管的主要参数; 1. 理想模型;iD;若;理想二极管：死区电压=0 V，正向压降=0 V。 二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管);1.2.5 稳压二极管;（2）稳定电流IZ、;稳压二极管的应用举例：;限流电阻R的取值范围为114 ~ 227 Ω;1.2.6 光电二极管;1.2.7 发光二极管; 结构特点：;B;B;1.3.2 晶体管的电流放大作用;B;IB=IBE-ICBO?IBE;电流放大作用的动画演示;ICE与IBE之比称为直流电流放大系数;B;1.3.3 晶体管的共射特性曲线;一、输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;判断三极管工作区域的方法： （以NPN硅三极管为例）;例1： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。;例1： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。;1.3.4 晶体管的主要参数;2.集-基极反向饱和电流ICBO;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响;由PNP型三极管组成的基本放大电路：;1.3.6 光电三极管;光电三极管的输出特性曲线;§1.4 场效应管;1.4.1 结型场效应管;一、工作原理（以N沟道为例）;2、UGS(off)UGS0 时，UDS对漏极电流iD的影响;3、UGDUGS(off) 时，UGS对漏极电流iD的控制作用;二、场效应管的输出特性和转移特性曲线;P沟道结型场效应管;预夹断曲线; 结型场效应管的缺点：;1.4.2 绝缘栅型场效应管;1、MOS管的工作原理;UDS增加（未夹断） iD增加UGDUGS(th) ;2、 N沟道增强型MOS管的特性曲线;N 沟道耗尽型;场效应管的符号及特性;五、 场效应管的主要参数;1.4.4 场效应管与晶体管的比较