用FD TD 法计算同轴线不连续性等效电路参数 - 微波EDA网- 射频 .PDF

第30卷 第9期　 　　　西　安　交　通　大　学　学　报 V o l. 30　№9 　1996年9月 JOU RN A L O F X I’AN J IA O TON G U N IV ER S IT Y 　　Sep. 1996 用 FD TD 法计算同轴线不连续 性等效电路参数 李立本　冯恩信　傅君眉 (西安交通大学, 7 10049, 西安) 摘 要 ( ) 　　文章用时域有限差分法 FD TD 法 分析了同轴线的不连续性, 给出了多种同轴 不连续结构的等效电路参数结果, 和已有文献的测试结果比较, 符合较好. 表示这种 方法既可用于计算无耗介质, 又可用于计算有耗介质的等效电路参数. 关键词: FD TD 方法　介质测量　同轴线 中国图书资料分类法分类号: TN 0 11. 0 15 0　引　言 ( ) 同轴型介质测试结构 支架 由于其具有测试频带宽、对测试样品形状要求简单易于加工 等特点, 因此得到了广泛应用. 近年来, 以开路同轴线作为无损检测和医用测试探头也得到重 视和发展. 为了提高各种同轴线型测试结构和探头的性能和测量精度, 扩大测量范围, 许多学 者利用各种数值方法, 如矩量法( ) 、变分法、有限元法( ) 、模匹配法等, 对各种类型 M OM F EM 同轴线不连续性结构中的电磁场以及等效电路参数进行分析计算. 但以上各种方法用于有耗 [ 1～ 7 ] 介质时存在许多困难 . FD TD 方法是近几年发展很快的电磁场数值算法之一. 本文利用FD TD 方法分析计算同 轴线不连续性结构中的场分布及等效电路参数, 可将无耗介质与有耗介质统一处理. 本文计算 了图1所示的几种典型同轴线结构的场分布与等效电路参数. 这几种同轴线不连续结构与一些 同轴探头和介质测试支架在介质测量环境下有相同或类似的结构. 收到日期: 　李立本: 男, 1962年3月生, 电子与信息工程学院微波研究所, 进修教师. 100 西 安 交 通 大 学 学 报 第30卷 图1　几种同轴的不连续性 1　理论分析与算法 　　具有轴对称性的同轴不连续结构, 当 波激励时, 各电磁场分量与坐标 无关, 可作 T EM 为二维问题处理. 图2a 所示的同轴结构是图1中各种结构的统一几何模型, 经过适当的几何尺 寸与电磁介质参数设置与变换, 即可得到图1中的任一种结构. 在图2 中, 、 分别为同轴线的 a a b 外、内导体半径, 、 、 等分别是不同区域中介质的复相对介电常数, 一般地 r 1 r2 r3 ( ) ( ) = 1 - j tg = - j