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苏州科技学院电子与信息学院 第六章 绝缘栅场效应晶体管 漏诱生势垒降低效应 --2.短沟道效应 1)表面DIBL效应 VFBVGSVT, 源漏区间势垒高度表面的低于体内的,电子从源区注入沟道及在沟道内的流动都发生在表面,形成亚阈电流IDsub。 (1)随沟道长L缩短,亚阈电流增加; (2)亚阈电流一直随VDS增加而增加,VT减小; (3)VGS对IDsub控制能力变弱，使MOSFET难以截止。 2）体内DIBL效应 VGSVFB，VDS不太大，源漏区间势垒高度表面的高于体内,电子从源区注入沟道及在沟道内流动都发生在体内,形成穿通电流。 以n-MOSFET为例：长沟道的VDS全降在漏结上。 短沟道时，源于漏的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，使源漏区间的势垒高度降低，称为漏诱生势垒降低效应（DIBL）。 苏州科技学院电子与信息学院 第六章 绝缘栅场效应晶体管 热电子效应 --2.短沟道效应 ---在强电场作用下,电子在两次碰撞之间会加速到比热运动速度高许多倍的速度,由于动能很大而称为热电子,从而引起“热电子效应”。 改进：(1)两次离子注入; (2)外加衬底偏压。 问题：穿通电流受VGS控制弱；VDS很大时将导致穿通击穿。 短沟道MOSFET中产生IG的原因 (1)横向电场Ey足够大时,沟道电子在纵向电场作用下注入到栅氧化层中;A (3)耗尽区内热激发产生电子-空穴对;C (2)漏区附近强电场Ey使高能电子碰撞电离产生电子-空穴对; B IG的出现表征着热电子效应的存在,且IG的大小可用来衡量热电子效应的大小。 沟道热电子效应为主。 苏州科技学院电子与信息学院 第六章 绝缘栅场效应晶体管 栅氧化层中电子积累的影响: --2.短沟道效应 沟道长度越短,热电子效应越严重。 (1)VT正漂; (2)跨导gm下降; (3)亚阈电流IDsub增大。 (1)漏pn结采用缓变结;(2)采用偏置栅结构;(3)埋沟结构。 产生沟道热电子的原因是漏区附近极高的横向电场的存在.抑制热电子效应的措施: 苏州科技学院电子与信息学院 第三节 微电子器件的发展方向 MOSFET的发展方向 第六章 绝缘栅场效应晶体管 MOSFET的发展方向:沟道长度L不断缩短 *优点:对于分立器件可提高跨导和最大工作频率,对IC可以提高速度、增大集成度和降低功耗. *缺点:阈电压下降;阈电压不稳及跨导退化. 改进—恒场按比例缩小 当MOSFET沟道长度缩短时,器件的其他各种横向和纵向尺寸以及电压也按一定的比例缩小. 苏州科技学院电子与信息学院 ①栅氧化层与半导体界面处的纵向电场强度不变; ②沟道横向电场强度不变; ③耗尽区内电场强度不变; 第六章 绝缘栅场效应晶体管 --3.微电子器件的发展方向 ⑤阈电压 VT’=VT/K; ⑥最高工作频率 fT’=KfT; ⑦功耗 缩小1/K2; ⑧门延迟 缩小1/K2; 优点:面积小、速度快、功耗低。 ④跨导不变; 苏州科技学院电子与信息学院 微电子电路基础 2010.12.22 苏州科技学院电子与信息学院 引 言 晶体管按工作原理分类: 第六章 绝缘栅场效应晶体管 1.双极型晶体管 2.场效应晶体管(Field effect transistor: FET) *20世纪三十年代:利林费尔德-场效应思想. *1962年前后:Si平面工艺和外延技术发展;表面态密度大大降低. FET按结构和工艺特点来划分 1. 结型栅场效应晶体管(JFET) 2.肖特基势垒栅场效应晶体管(MESFET) 3.绝缘栅场效应晶体管(IGFET) 与双极型晶体管相比, FET的优点: 1. 输入阻抗高; 2.噪声系数小; 3.功耗小; 4.温度稳定性好; 5.抗辐射能力强 苏州科技学院电子与信息学院 第六章 绝缘栅场效应晶体管 结构和分类 1) 结构 第一节 MOSFET的基本特性 2) 工作原理 苏州科技学院电子与信息学院 3) 输出特性 (1)OA段: 线性区,VGS决定沟道电阻 * 集成电路中的都是横向MOSFET,即沟道电流是水平方向流动;分立器件中有的沟道电流是垂直方向流动的,称为纵向MOSFET. 第六章 绝缘栅场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 (2)AB段: 过渡区,沟道压降影响沟道电阻 (3)BC段: 饱和区,VDSVDsat,之后沟道有效长度随VDS增大而缩短,称为有效沟道长度调变效应. (4)CD段: 击穿区,VDS≥BVDS 非饱和区 4)MOSFET类型 * N沟道增强型、耗尽型, P沟道增强型、 耗尽型 苏州科技学院电子与信息学院 又称开启电压,是使栅下的衬底表面开始发生强反型时