0.18μm数字CMOS工艺下的高增益运算放大器设计.pdfVIP

0.18μm数字CMOS工艺下的高增益运算放大器设计.pdf

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第27卷增刊 半导体学报 V01.27 Supplement 2006年12月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCToRS Dec.,2006 放大器设计 王 晗+ 叶 青 (中国科学院微电子研究所,北京100029) 摘要:基于SMIC0.18“m数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用 衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,分析了受流水线性能 限制的运放性能.仿真结果表明运放在1V的输入摆幅下开环增益大于100dB,8.5pF负载电容下单位增益带宽为 322MHz,功耗仅为1.9mw. 关键词:CMOS;运算放大器;折叠式共源共栅;增益增强;衬底校准;流水线模数转换器 EEACC:1205;1220 中图分类号:TN402 文献标识码:A 文章编号:0253.4177(2006)SO一0318—04 1 引言 益增强技术仍然面临对器件失配敏感的问题.另外 一个问题是这种技术会造成低摆率,从而使建立时 随着大规模集成电路技术的高速发展,高性能 间较长. 运算放大器已经广泛应用于高速高精度模数转换器 本文针对高速流水线A/D转换器,对折叠式共 converters,ADCs)中,是高性源共栅结构进行了分析,优化了其开环增益和动态 (analogue.to.digital 能流水线ADC中的核心单元电路之一,其性能直 范围,并采用衬底校准技术增大了输入摆幅.使用 接影响到A/D转换器的整体性能.所以,高性能运 SMIC 0.18tlmLogic 算放大器的设计一直是模拟集成电路设计研究的热 模拟设计了差动输出摆幅为1V,增益大于lOOdB 点之一. 的运算放大器,可用于13位30MHz采样频率流水 不同于模拟集成电路,数字电路系统的性能随 线A/D转换器的开关电容2倍增益级电路中. 着器件沟道长度的减小而增强.在深亚微米工艺中, 相当数量的片上系统(system.on.a.chip,SOC)需要 2运算放大器性能要求 在大规模数字电路的基础上集成模拟电路.但是采 用数字工艺的模拟电路面临相当严重的问题,首先 在每级1.5位流水线A/D转换器中,每一级的 随之而来的是沟道击穿电压的下降(当沟道长度小 输入信号与数模转换模块(MDAC)的输出信号之 于0.4”m时一般低于IOV)以及晶体管本征增益的 差经过2倍增益级放大电路和采样保持电路,再进 减小(一般低于30),除此之外,晶体管的阈值电压入下一级[3].采用的两倍增益级放大电路的输入输 远远低于电源电压降低的速度.因此,采用数字深亚 出电压关系为: 微米工艺实现高性能模拟电路很具有挑战性. (1)… 文献[1]中采用电导消除技术(conductance 瓷V=南AFi。 1+ cancellation 其中 technique)设计的运算放大器,在 馈因子

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