19 第五章 JFET与MESFET基本结构与工作原理.pptVIP

Physics of Semiconductor Devices;1、JFET的基本结构与工作过程 2、理想JFET的I-V特性 3、MESFET的基本结构与工作过程 4、JFET和MESFET的类型 5、异质结MESFET和HEMT ;结型场效应晶体管又称为PN结场效应晶体管。JFET基本上是一个电压控制的电阻，利用一个PN结作为栅极去控制电阻，从而实现对两个欧姆结之间的电流控制。其特点是只有多数载流子承担电流的输运，这种器件是单极器件。;重掺杂P＋层作为衬底。在 P＋衬底上外延生长轻掺杂的N型层。上边的重掺杂P＋层是通过向N型外延层中扩散硼形成的。器件的有源区夹在两个P＋层之间的N型层；有源层也称为导电沟道。上下两个P＋区不是被内连接就是被外连接以形成栅极端。连接在沟道两端的欧姆接触分别称为源极端和漏极端，通过它们流过沟道电流。源极发射载流子，漏端收集载流子。;标准平面外延－扩散工艺JFET;该技术通过扩散形成沟道和上栅。由于沟道掺入的是施主杂质，沟道电流由电子传输，这种器件称为N沟道JFET。若沟道是受主原子掺杂而栅区为N＋型，则沟道电流是由空穴传输，这种器件称为P沟道JFET。由于电子的迁移率比空穴的高，N沟道JFET能提供更高的电导和更高的速度，因而，在大多数应用中处于优先地位。;双扩散工艺JFET;2、工作过程;当电压VD增加时，沟道得狭口变得更窄，沟道电阻进一步增大。随着漏端电压得增加，将会在x=L处的空间电荷区连通，且在连通区域内的自由载流子全部耗尽，即发生沟道夹断。;沟道夹断时的漏电压称为饱和漏电压VDS。夹断以后再继续增加漏电压，夹断点将向源端移动，但由于夹断点电位保持为VP，所以漏电流不会显著增加，因而电流处于饱和而沟道电阻变得很大。;3、JFET的特点;二 理想JFET的I-V特性;二维的电场和载流子的分布;x 处耗尽层的宽度为：;理论和实验结果的差异可用串联电阻来解释;在夹断点，空间电荷区的宽度正好等于沟道的宽度，令W=a，且V–VG＝Vp，可得夹断电压为：;三 MESFET的基本结构与工作过程;MESFET结构示意图;2、工作过程;阈值电压：;四 JFET和MESFET的类型;拳窘饵眼豁炸呕刹婶慨佯奸沉劈墨爸饯篱褂侥鬃匪驱导鲍绸煽撮凶割硫床19 第五章 JFET与MESFET基本结构与工作原理19 第五章 JFET与MESFET基本结构与工作原理;五 异质结MESFET和HEMT;异质结MESFET的主要优点是工作速度快。;2、HEMT(electron mobility);2DEG;AlGaAs层的厚度和掺杂浓度决定器件的阈值电压，正常情况下使之完全耗尽。 1、如果AlGaAs层较厚或掺杂浓度较高，则在栅压VG=0时，异质结界面处的GaAs表面的电子势阱内已有电子存在，MESFET是耗尽型。 2、如果AlGaAs层较薄或掺杂浓度较低，栅压VG=0时耗尽层伸展到GaAs内部，势阱内没有电子，器件是增强型的。