4.3 金属-氧化物-半导体场效应管.pptVIP

4.3.1 N沟道增强型MOSFET 思考与习题 * 4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) 特性曲线及参数 结构 工作原理 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1. N沟道增强型MOS管的结构 P型衬底 沟道区域 绝缘层 金属铝 (a) VGS= VDS ＝0 ⑴ 导电沟道形成 (b) VGS(th) VGS0, VDS ＝0 当VGS为零或较小的正值时，源区和漏区之间均被空间电荷区隔断。 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 原始状态 (c) VGS VGS(th),VDS ＝0 (d) VGS VGS(th), VDS 0 形成导电沟道 N型导电沟道 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理（续） 形成自漏区到源区的漏极电流。D端加有电压，导电沟道不均匀， (f) VGS VGS(th) , VDS = VGS -VGS(th) 则 VGD=VGS-VDS VGS(th) (e) VGS VGS(th) , VGS -VGS(th) VDS 0 ? 此时VDS ? VGD↓ 漏端沟道变窄 ? ID基本不变 预夹断 VGA=VGS(th) VGD = VGS-VDS =VGS（th） 4.3.1 N沟道增强型MOSFET （2）VDS对沟道的控制作用 VDS? ? ID ? 即 增强型MOS管的基本工作原理：在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 4.3.1 N沟道增强型MOSFET 与JFET相比，两者结构不同，产生沟道的方式不同。但都是利用沟道导电，且外特性都表现为栅源电压控制漏极电流。 综上分析可知 输出特性 转移特性 3. 特性曲线 4.3.1 N沟道增强型MOSFET P沟道增强型MOSFET 1. 耗尽型制造工艺 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET简介 在制造过程中，如果在氧化层中引入一些金属正离子，或者在半导体表面进行专门的掺杂，即可控制在P型半导体表面形成原始的反型层导电沟道。 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET简介 2. 导电机理与伏安特性 由于具有原始导电通道，故当加电压VDS后，即使VGS＝0，也存在电流ID。只有当VGS加反向电压至一定大小，方可使反型层沟道消失。表现为伏安特性上ID=0时，VGS0。伏安特性的变化形式及性质与增强型一样。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) P.173 的表4.3.1 使用MOSFET中的注意事项 结构上漏极和源极可以互换，前提是衬底有引线引出。 原理上MOSFET是绝缘栅输入结构，没有电荷的泄放通道，极易造成静电击穿。存取时尤须注意。 MOSFET在焊接时，静电击穿的危险更大。所以无论器件内部是否有静电保护，均须接地良好焊接或断电后余热焊接。 习 题 思考题 比较BJT、JFET、MOSFET三类器件的输入电阻大小，原因何在？ {end} P.190-4.3.2 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 *