5.2 场效应管放大电路.pptVIP

场效应管的三个电极g、s、d和三极管的三个电极b、e、c的作用相对应。用场效应管组成的放大电路也有相应的共源、共漏、共栅三种不同的接法，为使场效应管放大电路能够正常工作，也应建立合适的静态工作点，并使静态工作点稳定，所不同的是场效应管是电压控制器件，需要建立合适的栅源电压，也叫栅 极偏置电压（栅偏压）。 一、直流偏置及静态工作点的计算 直流偏置及静态工作点的计算 直流偏置及静态工作点的计算：例1 例1：在N沟道EMOS管电路中，已知 直流偏置及静态工作点的计算：例2 例2：图示为双电源供电的在N沟道EMOS管电路中，已知 三、MOS场效应管放大电路分析（1） MOS场效应管放大电路分析（2） MOS场效应管放大电路分析（3） * 5.2 场效应管放大电路 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： MOSFET放大电路 1、共源放大电路结构 D G S B RG1 RG2 RD RS RL C1 C2 CS ui uo + + - - +UDD MOS管必须工作于恒流状态，即：UGSUGS(th)、UDSUGS-UGS(th) 采用分压偏置式偏置电路，以保证静态工作点稳定。 输入回路与输出回路共源极。 2、共源放大电路静态工作点计算 Q点=（VGSQ、IDQ、VDSQ） IGQ=？ 直流通路 D G S B RG1 RG2 RD RS +VDD VGSQ IDQ VDSQ D G S B RG1 RG2 RD RS RL C1 C2 CS ui uo + + - - +UDD 由于IG=0，则G点电位为 假定MOS管工作在饱和区 解方程组（2），可得IDQ。 求VGSQ判断饱和区的假设是否正确 解：由于IG=0,栅极和源极上的电压分别为 设MOS管工作在饱和区，则 不合理 MOS管工作在饱和区，假设成立 管子参数 ，求 解：由于IG=0,栅极和源极上的电压分别为 设MOS管工作在饱和区，则 不合理 MOS管工作在饱和区，假设成立 管子参数 ，求 解：设MOS管工作于饱和区， 则有： 例5.2.2：设MOS管参数为： 电路参数 流过Rg1的电流为ID的1/10求：Rg1 Rg2的值？ 由此可得： 流过Rg1，Rg2的电流约为0.05mA， 即有： MOS管工作在饱和区，假设成立 由此可得： 考虑到： 有： 解：当vI=0时，珊极相当于接地， 且Rg上无电流通过 例5.2.3：设NMOS管参数为： 电源电压、电流 求：电路参数？ 由此可得： 源极电压 设MOS管工作于饱和区，则有： 漏极电流 MOS管工作在饱和区，假设成立 考虑到： 当： 漏源电压： g s d 跨导 漏极输出电阻 vGS iD vDS 二、场效应管的微变等效电路 场效应管的微变等效电路为： 因为栅极电流为零，所以栅源间相当于开路。 很大， 可忽略。 g s d vGS iD vDS 共源放大电路的微变等效电路 交流通路 D G S B RG1 RG2 RD RS RL C1 C2 CS vi vo + + - - +VDD D G S RG1 RG2 RD RL vi vo + + - - + - vgs gmvgs id ii 结论： （1）共源电路与共射电路结构相似，性能也相似。 （2）共源电路放大电路的Ri比共射电路的Ri大很多， 可由电阻RG1、RG2决定。 微变等效电路 D G S B RG1 RG2 RD RL ui vo + + - - 电压放大倍数Av： 输入电阻Ri： 输出电阻Ro： 共漏放大电路 1、共漏放大电路结构 D G S B RG1 RG2 RS RL C1 C2 vi uo + + - - +VDD 输入回路与输出回路共漏极 2、静态工作点计算 Q点=（VGSQ、IDQ、VDSQ） 由电路结构，有 即： 又： 解方程组2，可得IDQ、VGSQ。 3、共漏放大电路动态参数计算 D G S B RG1 RG2 RS RL C1 C2 vi vo + + - - +VDD 微变等效电路 D G S RG1 RG2 RS RL Vi Vo + + - - + - Vgs gmVgs id ii 电压放大倍数AV： 输入电阻Ri： 所以： 即： 结论： （1）共漏电路与共集电路结构相似，性能也相似。 （2）因为Av≈1，共漏电路电路也称源极跟随器。 （3）共漏电路的RO比共源电路的RO小。 输出电阻Ro： D G S RG1 RG2 RS vo + - + - vgs gmvgs id iO