新型相变材料Ti 0 5 Sb 2Te 3刻蚀工艺及其机理研究 张徐.pdfVIP

第28 卷 第 12 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 12 2013 年12 月 Journal of Inorganic Materials Dec., 2013 文章编号: 1000-324X(2013)12-1364-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.13210 新型相变材料 Ti Sb Te 刻蚀工艺及其机理研究 0.5 2 3 1,2 1 1 1 1,2 1 张 徐 , 刘 波 , 宋三年 , 姚栋宁 , 朱 敏 , 饶 峰 , 吴良才1 1 1 , 宋志棠 , 封松林 (1. 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海200050; 2. 中国科学院大学, 北京 100083) 摘 要: 采用CF 和Ar 混合气体研究了新型相变材料Ti Sb Te (TST) 的刻蚀特性, 重点优化和研究了刻蚀气体总流 4 0.5 2 3 速、CF4/Ar 的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明, 当气体总流量为50 sccm、CF4 浓度为 26% ﹑刻蚀功率为400 W 和刻蚀压力为 13.3 Pa 时, 刻蚀速度达到 126 nm/min, TST 薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂 直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS 为0.82 nm) 以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。 关 键 词: 新型相变材料; 干法刻蚀; CF4+Ar 气体; 刻蚀速度 中图分类号: TQ174 文献标识码: A Study on Etching Process and Mechanism of New Phase Change Material Ti Sb Te 0.5 2 3 1,2 1 1 1 1,2 1 ZHANG Xu , LIU Bo , SONG San-Nian , YAO Don