一种适用于片上LDO系统的过流保护电路.pdfVIP

第 18卷 第 1期 电路与系统学报 VoI_l8 NO．1 2013年 2月 JOURNAL0FClRCUITSAND SYSTEMS February，2013 文章编号：1007．0249(2013叭一000104 一 种特别适用于片上 LDO系统的过流保护电路 胡佳俊， 陈后鹏， 金荣， 王倩， 宋志棠 (中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料 国家重点实验室 纳米技术研究室 ，上海 200005) 摘要 ：依据 电压 比较器高低电平判决的基本原理 ，结合精确 电流采样支路，设计了一种固定限流装置。此外，通 过第二条电流采样支路，达到返送 (foldback)功能，使得短路电流不到最大负载电流的 10％，有效降低 了LDO (Low Drop—out)系统的过流关断功耗 。基于CZ6HO．35gm标准 CMOS工艺，应用 Cadence工具进行仿真 ，结果显示，该过 流保护 电路可以把稳压器的最大输 出电流限定在 300mA，输 出短路 电流不到 20mA，在无片外电容的条件 下，系统表 现出良好的瞬态响应效果；此外，该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。 关键词 ：过流保护；短路 电流；返送 中图分类号 ：TN43 文献标识码 ：A 1 引言 随着集成 电路产业 的飞速发展，电源管理技术从较为简单的电子 电路变成如今功能强大的模块 电 路 。低压差线性稳压源 (LDO)作为 电源管理技术 中的一种，由于其结构简单，噪声低 ，功耗低等一 系列优越性能而得 以在便携式 电子设备 中得到广泛运用 。 MOSFET作为大功率的复合器件 ，具有较弱的承受短时过载的能力，当工作 中因过流而使管子 内 能量积聚时，极容易引发雪崩击穿并损坏功率器件 ， 因此过流保护技术一直是确保功率器件稳定，正常 ， 运行的关键 。本文设计的一款带有 Foldback功能的 过流保护电路有效地降低 了系统的过流关断功耗， Spectre 仿真 结 果表 明 ，该 电路 能有 效 的保 护 MOSFET 功率管 ，特 别适用于无片 外大 电容的 LDO[1]芯片之 中。 2 传统过流保护电路分析 图l所示的电路是 比较早期的CMOS过流保护 图1 传统过流保护电路 技术 ，图中的误差放大器 ，功率管 MPW，反馈 电路和负载 电容构成 了最基本的 LDO 系统 ，采样管 MS用于跟踪大负载电流的变化，M5是作为恒定电流源经过一对有源 电流镜 M3和 M4后与M2中的 采样 电流做 比较 ，来确定 A 点的高低 电平 。当功率管 【】正常工作时，M2中的漏 电流小于 M3中的漏 电流，A点则为高 电平 ，限流控制管 M6关断；当M2中的漏 电流大于 M3中的漏 电流，A点判决为 低 电平 ，限流管 M6导通，把功率管的栅 电位拉高，在一定程度上达到了限流的作用。但是这种过流 保护技术过于简单 ，因而存在诸多明显 的缺陷：一 ：不能精确采样 ，随着采样管 Ms的漏 电流不断的 变化，二极管M1的栅 电压也不断变化，因此采样管和功率管的漏源 电压很容易出现较大的失配现象， 由于沟道调制效应的影响，采样 电流的精确性也就难 以确保 了；二：M2和 M3组成的高低 电平判决模 块精度太低 ，使得控制管M6很难对功率管的栅 电位精确调控 ；三 ：该过流保护技术只有恒定限流装 收藕 日期t2011—09—0l 修订 日期 ：2011—10-12 基金项 目t国家集成 电路重 大专项 (2009ZX02023-003)；国家重点基础研究发展计划 (2007CB935400，20l0CB934300，20I】CB309602． 2011CB932800)；国家 自然科学基金 6090600361076121)；I海 市科委 (09QH1402600，1052nm07000) 资助 项 曰 第 1期 胡佳俊等：一种特别适用于片上LDO系统的过流保护 电路 3 的越强，在极限条件输出被短路的情况下，Mpl3可观的驱动