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一种基于带隙比较器的过热保护电路
中国集成电路
设计 CIC
ChinalntegratedCircult
一种基于带隙比较器的过热保护电路
电子科技大学微电子与固体电子学院功率集成技术实验室 陈志军 钟昌贤 张波
摘要：设计了一种基于带隙比较器的过热保护电路。该电路可用于功率集成电路和电源管理芯片中。
采用0.6μmBiCMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,该电路对温度灵敏度高，关断和开启温度点
受电源电压和工艺参数变化的影响很小。通过比较器的迟滞功能防止了热振荡现象的发生。
关键词：带隙比较器；过热保护；BiCMOS
AThermalShutdownCircuitUsingComparatorwithBandgapStructure
CHENZhi-jun,ZHONGChang-xian,ZHANGBo
(PowerIntegratedTechnologyLaboratory,SchoolofMicroelectronicsandSolid-stateelectronics,Universityof
ElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu,Sichuan610054,P.R.China)
Anewthermalshutdowncircuitbasedonthecomparatorwithbandgapstructureisproposed.Using0.6
Abstract:
μmBiCMOSprocess,theresultofsimulationshowsthatthecircuitfeatureshighsensitivitytotemperature,accurate
turnoff/onthresholdvalueunderdifferentsupplyvoltageandprocess.Anditmakesthecircuitawideusageinthe
fieldofpowerICsandpowersupplymanagementwhilethethermaloscillationiseliminatedbythehystereticcom-
parator.
Comparator;BandgapStructure;ThermalShutdown;BiCMOS
Keywords:
1引 言 2常见的过热保护电路
[2]
在功率集成电路和电源管理芯片中，电路消耗 图1是传统的过热保护电路 ，图中Q2是大功
的功率往往比较大，在某些异常情况(电源短接、内 率晶体管，Q为过热保护器件，其集电极和功率晶
H
部短路)下，产生的功耗会急剧增大并使芯片温度持 体管Q2的基极及恒流源 I接在一起，D为齐纳二
0 Z
续升高。如果不设置过热保护电路，持续升高的温度 极管。
将会影响芯片的正常工作，并可能对芯片产生永久 图1中，三极管的V 随温度升高而减小，具有
BE
性的损害。为了有效地保护芯片，往往需要将过热保 负温度系数。而齐纳二极管的反向击穿电压V随温
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