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用于中子屏蔽的碳化硼／超高分子量聚乙烯复合材料研究 337
用于中子屏蔽的碳化硼／超高分子
量聚乙烯复合材料研究
ofBoron
Carbide／Ultra—H
Preparation igh
Molecular
WeightPolyethyleneComposites
ForNeutron
Shielding
郭鹏，董利民，王晨，昝青峰，王立强，田杰谟
(清华大学核能与新能源技术研究院，新型陶瓷
与精细工艺国家重点实验室，北京100084)
GUO Li-min，WANGChen，
Peng，DONG
ZAN
Qing—feng，WANGI。i—qiang，TIANJie-mo
(State ofNewCeramicsFine
KeyLaboratory Processing．
InstituteofNuclearandNew
EnergyTechnology，
100084，China)
TsinghuaUniversity，Beijing
摘要：采用热压成型工艺。制备用于中子屏蔽的碳化硼／超高分子量聚乙烯(UHMWPE)复合材料，研究了热压温度、硅
烷偶联剂添加量、碳化硼含量对材料的冲击强度、弯曲强度等性能的影响，通过FTIR，SEM及能谱分析偶联剂添加效
果。同时研究了碳化硼含量对材料中子屏蔽效率的影响。结果表明，当成型温度小于200℃时，温度的提高对材料力学
结合力，当添加量超过3％(质量分数，下同)后。偶联剂在碳化硼表面形成多余吸附层。减弱了基体与颗粒之间的结合
力。降低了冲击强度；碳化硼含量提高，颗粒的团聚增加，大颗粒在基体中形成缺陷，导致材料脆性增加。降低了材料冲击
强度；中子衰减系数随碳化硼含量增加而提高，随样品厚度的增加而减小；样品厚度较薄时，材料主要吸收热中子，当样
品厚度增加时．快中子在材料内部发生多次碰撞，能量降低后也被吸收掉。
关键词：碳化硼；UHMWPE；中子屏蔽；偶联剂
中图分类号：TB34文献标识码：A
for
Abstract：Boron prepared
notched testandflexuraltest of
charpy impacted byhot—pressingprocess．Thetemperaturehot—press—
amountofsilane andtheamountofboroncarbidewerestudied
ing，the couplingagent
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