利用内光谱响应测量晶体硅太阳电池前表面复合速度 using internal quantum efficiency to determine front surface recombination velocity of crystalline silicon solar cells.pdfVIP

第32卷第7期 太阳能学报 V01．32．No．7 2011年7月 SINICA A(了rAENERGIAESOLARIS Jul．，20ll 文章编号：舵斛枷(∞11)07帕5l郴 利用内光谱响应测量晶体硅太阳电池 前表面复合速度 马 逊1，一，刘祖明2，廖 华2，李景天2 (1．中国农业大学水利与土木工程学院。北京l∞083；2．云南师范大学太阳能研究所，昆明650092) 摘要：根据发射区电流密度的连续性方程，推导出了发射区杂质服从高斯函数和余误差函数分布情况下短波内 光谱响应与前表面复合速度的模型，该模型短波波长的选择与扩散结深有关。并利用该模型对不同扩散条件下的 晶体硅太阳电池前表面复合速度进行计算，结果与PclD模拟结果符合较好。 关键词：晶体硅太阳电池；内光谱响应；前表面复合速度；连续性方程；高斯函数；余误差函数 中图分类号：’n(514 文献标识码：A O 引 言 为非均匀掺杂且杂质分布服从高斯分布情况下，前 太阳电池的光生少数载流子在前表面(入射光 表面复合速度与发射区光生电流之问的关系旧1，从 面)复合速度越大，其暗电流密度凡增大，开路电压 而利用短波，QE(A)得到前表面复合速度的信息。 k降低，载流子收集率丘减小，短路电流密度L降 通过分析发现，第一种模型对商业化晶体硅太 低，相应地，太阳电池的转换效率也降低。为提高太 阳电池没有意义；第二种模型适合非均匀扩散发射 阳电池转换效率，在工艺上通常采用热氧钝化或 区，但属于估算结论，误差偏大；第三种模型只给出 PECVD钝化来降低其前表面复合速度。钝化效果 了高斯分布情况下的表面复合速度与，QE(A)的关 的好坏通过测量太阳电池短波部分的内光谱响应 系，没有给出符合余误差分布的情况。而对于工业 JQE(hIt唧alQIl粕tmE伍ciency)进行检验。 化n+pp+型晶体硅太阳电池，发射区(n+区)的扩散 叩E(A)测量是获得太阳电池特性参数的一个方式有恒定源扩散和限定源扩散两种。对于不同的 重要手段。短波郴(A)测量常用来研究太阳电池扩散方式，杂质在发射区的分布分别满足余误差函 发射区的质量，特别是前表面钝化效果。这是因为 数分布和高斯函数分布。 短波光子能量高，晶体硅太阳电池对短波光子的吸 本文将利用电流密度的连续性方程，通过分析 收系数大，短波光子在距离前表面较短的距离就被 少数载流子在发射区表面的情况，分别给出满足不 吸收产生光生载流子。而晶体硅太阳电池对中长波 同函数分布情况下前表面复合速度与短波，QE(A) 光子的吸收系数小，这部分光子在结区，甚至基区才 之间的关系，并利用这两种模型对不同扩散方式的 能被材料吸收产生光生载流子。因此长波部分的 太阳电池进行测量，得到其表面复合速度，并与 螂(A)常用来检测太阳电池基区少数载流子扩散PCID模拟结果进行比较。 长度和背表面钝化情况。 目前利用短波螂(A)测量太阳电池前表面复1理论分析 合速度的模型有以下几种：假设n+区为均匀掺杂情 常规商业化晶体硅太阳电池的结构为n+pp+ 况下表面复合速度与榔(A)之间的关系¨1；当n+型，n+区(发射区)为前表面(入射光面)。研究光生 区为磷扩散，掺杂浓度ⅣD10婚cm一，表面进行钝化 空穴在发射区表面的复合速度S，，可以利用短波单 收稿日期：2009一07珈 通讯作者：马逊(1980一)，女，博士研究生、助理研究员，主要从事太阳电池测量与工艺研究工作。ⅢⅫI舯313@126．锄 万方数据 952 太 阳 能 学 报