华硕超频（ASUS overclocking）.doc

华硕超频（ASUS overclocking） 需要设置的选项： 传统软盘禁用（禁用软驱） 第二步使用键盘的左右方向键将光标移动至菜单打开手动超频选项先进！ 打开手动超频（开启动手动超频模式） 中央处理器（CPU倍频设定）比控制 FSB频率（CPU外频设定） 注：英特尔酷睿E6320外频为266，倍频为7，主频则为1862mhz，而我们将外频提高，倍频不变，当然主频也就变了。这也就是所谓的超频。 为了保证超频后显卡的正常工作PCIE频率，我们必须要对显卡的工作状态进行相关的设置，PCIE频率设置一般为100mhz 内存频率（内存频率设定）根据自己内存的体质进行设定 DRAM命令率（内存首命令延迟设定）通常情况下汽车就好了，如果你的条子体质超强，那么开1t吧，这个选项如果设置成1t的话，跑测试软件出来的得分会比2t也高。 DRAM Timing Conterol（内存参数选项设定）注：平时就是汽车，如果你要手动设置的话请选择手册 注：新手建议就用汽车吧，等以后水平提高了，再来学习内存小参吧，这些先项通常是越低越好，越低的话你跑测试软件的得分会更高如super-pi之类的软件。 接着来！！！！！ 中国科学院#延迟：该值就是”4-4-4-8”内存时序参数中的第1个参数，这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为3或4的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 RAS # CAS延迟：美元该值就是”4-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第2个4。RAS # CAS #延迟（也被描述为：tRCD、RAS到CAS延迟、活动到命令、捷运），表示”行寻址到列寻址延迟时间”，数值越小，性能越好。 # RAS预充电 该值就是”4-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第3个4.dram RAS预充电（#也被描述为：色氨酸、行预充电时间、预充电到活动），表示”内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 #激活RAS预充电 该值就是该值就是”4-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数。（也被描述为：TRA、激活到预充电延迟、行活动时间、预充电等待状态、行主动延迟、行预充电延迟、RAS激活时间）这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（TRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。TRAS过长，会严重影响性能。减少TRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，TRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。简单来说，TRAS值越低越好，而提高TRAS值也提高内存的稳定性。在调整TRAS值的时候，需要顾及TCL值和tRCD值这个参数， pcie spread spectrum (pcie 扩展频谱) 注: 超频时请设定为disabled cpu voltage (cpu电压设定) 注: 可以通过此选项给cpu增加电压, 当超不了的时候, 再慢慢升高电压, 不要来开始就猛加! cpu voltage reference (cpu参考电压设定) 也就是让你设定的电压与实际电压更加接近近, 相当于起到一个校准的作用.通常设置为 0.63x 与 0.59x cpu voltage damper (cpu vcore 电压抑制) 当开启时, 可以让cpu vcore电压稳流的作用, 当满载的时候电压不至于下降, 也就是减少电压的vdroop cpu pll voltage (cpu频率控制芯片电压设定) 通常为1.7v, 不过个人比较喜欢直接 1.8v dram voltage (内存电压设定) 这个选项大家根据自己的内存电压来进行设置, 当超内存的时候可以适当的增加. fsb termination voltage (fsb前端总线电压设定) 注: 通过提高fsb总线电压有助于提升级高外频运行的稳定性 north bridge voltage (北桥核心电压设定) 注: 这个先项比较重要, 电压一定要管够哦, 加压后北桥的发热量也会更前提高. 平常1.55v就差不多了. north bridge voltage reference (北桥参考电压设定) car, 手动设定都可以, 影响不是很大的. south bridge voltage (南桥核心电压) 第三步: 设定完成后我们进入 advanced 选项的 cpu configuration 子菜单.并选择cpu configuration